MOSFET 모듈 – Mouser 대한민국

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NXH011F120M3F2 SiC MOSFET

onsemi NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET 모듈은 11mΩ/1,200V SiC M3S MOSFET 풀 브리지 구성으로 되어 있습니다. 이 모듈은 F2 패키지에 서미스터와 HPS DBC를 통합하여 컴팩트하고 고효율의 전력 변환 설계를 가능하게 합니다. onsemi NXH011F120M3F2는 열전도성 물질이 미리 도포된 두 가지 유형과 열전도성 물질이 미리 도포되지 않은 한 가지 유형을 제공합니다. 이 모듈은 또한 전력 모듈 통합을 위한 프레스 피트 핀과 무연, 할로겐 무함유, RoHS 규격에 따른 구성을 특징으로 합니다.

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	기술	장착 스타일	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	포장
	MOSFET 모듈 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package NXH015F120M3F1P1TG onsemi 1: ₩119,714.4 28재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 NXH015F120M3F1P1TG Mouser 부품 번호 863-H015F120M3F1P1TG 신제품	onsemi	MOSFET 모듈 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	28재고 상태	₩119,714.4	최소: 1 배수: 1 최대: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	77 A	19 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	198 W	Tray
	MOSFET 모듈 Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package NXH011F120M3F2P1THG onsemi 1: ₩236,839.2 20예상 2026-11-24 신제품	제조업체 부품 번호 NXH011F120M3F2P1THG Mouser 부품 번호 863-011F120M3F2P1THG 신제품	onsemi	MOSFET 모듈 Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	20예상 2026-11-24	₩236,839.2	최소: 1 배수: 1 최대: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	105 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	244 W	Tray
	MOSFET 모듈 Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package NXH011T120M3F2P1THG onsemi 1: ₩207,324 20예상 2026-11-24 신제품	제조업체 부품 번호 NXH011T120M3F2P1THG Mouser 부품 번호 863-011T120M3F2P1THG 신제품	onsemi	MOSFET 모듈 Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	20예상 2026-11-24	₩207,324	최소: 1 배수: 1 최대: 2			SiC	Press Fit	N-Channel	4 Channel	1.2 kV	91 A	16 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	272 W	Tray
	MOSFET 모듈 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PG onsemi 1: ₩113,412 28예상 2027-02-16 신제품	제조업체 부품 번호 NXH006P120M3F1PG Mouser 부품 번호 863-NXH006P120M3F1PG 신제품	onsemi	MOSFET 모듈 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	28예상 2027-02-16	₩113,412	최소: 1 배수: 1 최대: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	200 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	333 W	Tray
	MOSFET 모듈 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH006P120M3F1PNG onsemi 1: ₩129,339.6 28예상 2027-02-16 신제품	제조업체 부품 번호 NXH006P120M3F1PNG Mouser 부품 번호 863-XH006P120M3F1PNG 신제품	onsemi	MOSFET 모듈 EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	28예상 2027-02-16	₩129,339.6	최소: 1 배수: 1 최대: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	240 A	9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	500 W	Tray
	MOSFET 모듈 EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package NXH008P120M3F1PNG onsemi 1: ₩125,221.2 28예상 2027-02-16 신제품	제조업체 부품 번호 NXH008P120M3F1PNG Mouser 부품 번호 863-XH008P120M3F1PNG 신제품	onsemi	MOSFET 모듈 EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package onsemi nxh011f120m3f2 mosfet modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	28예상 2027-02-16	₩125,221.2	최소: 1 배수: 1 최대: 3			SiC	Press Fit	N-Channel	2 Channel	1.2 kV	145 A	10.9 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	- 40 C	+ 175 C	382 W	Tray