IGBT 모듈 – Mouser 대한민국

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IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ 듀얼 구성 모듈

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ 이중 구성 모듈은 손실을 줄이고 높은 제어 가능성을 제공하는 마이크로 패턴 트렌치 기술을 기반으로 합니다. 셀 개념은 정사각형 트렌치 셀과는 대조적으로 서브 마이크론 메사로 분리된 평행 트렌치 셀을 구현하는 것이 특징입니다. 산업용 드라이브 애플리케이션 및 태양광 에너지 시스템용으로 특별히 최적화된 이 칩은 낮은 정적 손실, 높은 전력 밀도 및 소프트 스위칭을 제공합니다. 최고 작동 온도가 +175°C인 이 모듈을 사용하여 전력 밀도를 상당히 높일 수 있습니다.

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결과: 10

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제품

구성

콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO

콜렉터-이미터 포화 전압

25 C의 지속적인 컬렉터 전류

게이트-이미터 누설 전류

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	제품	구성	콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO	콜렉터-이미터 포화 전압	25 C의 지속적인 컬렉터 전류	게이트-이미터 누설 전류	최저 작동온도	최고 작동온도	기술	포장
IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module FF450R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies 1: ₩197,978.5 17재고 상태	제조업체 부품 번호 FF450R12ME7B11BPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF450R12ME7B11BP	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	17재고 상태	₩197,978.5 ₩190,946.6	최소: 1 배수: 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	450 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module FF900R12ME7WB11BPSA1 Infineon Technologies 1: ₩387,868.2 6재고 상태	제조업체 부품 번호 FF900R12ME7WB11BPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF900R12ME7WB11B	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	6재고 상태	₩387,868.2 ₩310,277.7	최소: 1 배수: 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	890 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module FF900R12ME7PB11BPSA1 Infineon Technologies 1: ₩307,092.9 43재고 상태	제조업체 부품 번호 FF900R12ME7PB11BPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF900R12ME7PB11B	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	43재고 상태	₩307,092.9	최소: 1 배수: 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	900 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module FF900R12ME7B11NPSA1 Infineon Technologies 1: ₩360,473.4 61재고 상태	제조업체 부품 번호 FF900R12ME7B11NPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF900R12ME7B11N1	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon ff900r12me7 b11 dual igbt module 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	61재고 상태	₩360,473.4 ₩291,183	최소: 1 배수: 1	없음	IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	900 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
IGBT 모듈 1200 V, 300 A dual IGBT module FF300R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies 1: ₩176,882.8 5재고 상태 20주문 중	제조업체 부품 번호 FF300R12ME7B11BPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF300R12ME7B11BP	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1200 V, 300 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	5재고 상태 20주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: FF300R12ME7B11BPSA1 재고: 5 즉시 배송 가능 주문 중: 10 예상 2027-01-28 10 예상 2027-04-08 공장 리드 타임: 24 주	₩176,882.8 ₩167,074.8	최소: 1 배수: 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	300 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module FF600R12ME7B11BPSA2 Infineon Technologies 1: ₩246,074.5 23예상 2027-04-13	제조업체 부품 번호 FF600R12ME7B11BPSA2 Mouser 부품 번호 726-FF600R12ME7B11B2	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon econodual 3 econo modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	23예상 2027-04-13	₩246,074.5 ₩243,129.3	최소: 1 배수: 1										Si	Tray
IGBT 모듈 2300 V, 1800 A dual IGBT module FF1800R23IE7BPSA1 Infineon Technologies 1: ₩1,826,323.2 비재고 리드 타임 39 주	제조업체 부품 번호 FF1800R23IE7BPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF1800R23IE7BPSA	Infineon Technologies	IGBT 모듈 2300 V, 1800 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon ff1800r23ie7 modules 에 대해 자세히 알아보기 이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.	데이터시트	비재고 리드 타임 39 주	₩1,826,323.2	최소: 1 배수: 1										Si	Tray
IGBT 모듈 PP IHM I FF1800R23IE7PBPSA1 Infineon Technologies 3: ₩1,878,745.4 비재고 리드 타임 39 주	제조업체 부품 번호 FF1800R23IE7PBPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF1800R23IE7PBPS	Infineon Technologies	IGBT 모듈 PP IHM I Infineon Technologies infineon ff1800r23ie7 modules 에 대해 자세히 알아보기 이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.	데이터시트	비재고 리드 타임 39 주	₩1,878,745.4	최소: 3 배수: 3										Si	Tray
IGBT 모듈 1200 V, 750 A dual IGBT module FF750R12ME7B11BPSA1 Infineon Technologies 10: ₩262,548.1 비재고 리드 타임 24 주	제조업체 부품 번호 FF750R12ME7B11BPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF750R12ME7B11BP	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1200 V, 750 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 24 주	₩262,548.1	최소: 10 배수: 10		IGBT Silicon Modules	Dual	1.2 kV	1.5 V	750 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray
IGBT 모듈 1700 V, 750 A dual IGBT module FF750R17ME7DB11BPSA1 Infineon Technologies 1: ₩331,852.5 비재고 리드 타임 24 주	제조업체 부품 번호 FF750R17ME7DB11BPSA1 Mouser 부품 번호 726-FF750R17ME7DB11B	Infineon Technologies	IGBT 모듈 1700 V, 750 A dual IGBT module Infineon Technologies infineon igbt7 e7 modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 24 주	₩331,852.5	최소: 1 배수: 1		IGBT Silicon Modules	Dual	1.7 kV	1.7 V	750 A	100 nA	- 40 C	+ 175 C	Si	Tray

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