GaN FET – Mouser 대한민국

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Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

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결과: 49

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장착 스타일

패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명	기술
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSGB-TR Renesas Electronics 1: ₩3,072.1 3,744재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H480G4JSGB-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H480G4JSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	3,744재고 상태	컷 테이프 ₩3,072.1 ₩1,479.7 ₩1,324.6 ₩1,052.7 릴 ₩828.6 보기 ₩1,030.1 ₩1,010.4 ₩756.7	최소: 1 배수: 1 : 4,000	SMD/SMT	QFN-7	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 10 V, + 10 V	2.8 V	5 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSG-TR Renesas Electronics 1: ₩11,992.3 2,585재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H070G4LSG-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H070G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,585재고 상태	컷 테이프 ₩11,992.3 ₩6,510.5 ₩5,989.1 ₩5,876.4 ₩5,608.6 릴 ₩4,791.3	최소: 1 배수: 1 : 3,000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGB-TR Renesas Electronics 1: ₩11,780.9 2,446재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H070G4LSGB-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H070G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Renesas Electronics transphorm tp65h150bg4jsg gan fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,446재고 상태	컷 테이프 ₩11,780.9 ₩6,397.8 ₩5,862.3 ₩5,735.4 ₩5,256.3 릴 ₩4,678.5	최소: 1 배수: 1 : 3,000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.6 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN TP65H480G4JSG-TR Renesas Electronics 1: ₩3,058 1,475재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H480G4JSG-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H480G4JSG-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,475재고 상태	컷 테이프 ₩3,058 ₩1,479.7 ₩1,248.6 ₩1,045.6 릴 ₩828.6 보기 ₩1,041.4 ₩987.8 ₩756.7 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 4,000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	650 V	3.6 A	560 mOhms	- 18 V, + 18 V	2.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	13.2 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: ₩15,008 1,109재고 상태 2,600예상 2027-04-26 신제품	제조업체 부품 번호 TP65H030G4PRS-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H030G4PRS-TR 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,109재고 상태 2,600예상 2027-04-26	컷 테이프 ₩15,008 ₩8,328.4 ₩7,891.5 릴 ₩6,440 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: ₩15,797.1 1,036재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 TP65H030G4PWS Mouser 부품 번호 227-TP65H030G4PWS 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,036재고 상태	₩15,797.1 ₩8,722.9 ₩8,074.7 ₩7,017.8 보기 견적	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: ₩14,923.4 209재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 TP65H030G4PQS-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H030G4PQS-TR 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	209재고 상태	컷 테이프 ₩14,923.4 ₩8,272 ₩7,835.2 ₩7,778.8 ₩7,313.7 릴 ₩6,637.3 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 2,000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L TP65H050G4YS Renesas Electronics 1: ₩14,726.1 519재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H050G4YS Mouser 부품 번호 227-TP65H050G4YS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L Renesas Electronics transphorm tp65h050g4ys supergan fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	519재고 상태	₩14,726.1 ₩7,990.2 ₩6,411.9 ₩6,397.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	35 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	132 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220 TP65H070G4PS Renesas Electronics 1: ₩11,710.5 673재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H070G4PS Mouser 부품 번호 227-TP65H070G4PS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220 Renesas Electronics transphorm tp65h070g4ps gan fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	673재고 상태	컷 테이프 ₩11,710.5 ₩6,440 ₩5,904.5 ₩4,988.6 릴 ₩4,974.5	최소: 1 배수: 1 : 1,000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.7 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT TP65H070G4RS-TR Renesas Electronics 1: ₩12,020.5 1,608재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H070G4RS-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H070G4RS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT Renesas Electronics transphorm tp65H070g4rs supergan tolt fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,608재고 상태	컷 테이프 ₩12,020.5 ₩6,524.6 ₩6,003.2 ₩5,890.5 릴 ₩4,918.1 ₩4,805.4	최소: 1 배수: 1 : 1,300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	85 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220 TP65H100G4PS Renesas Electronics 1: ₩9,328.9 714재고 상태 Mouser의 신규	제조업체 부품 번호 TP65H100G4PS Mouser 부품 번호 227-TP65H100G4PS Mouser의 신규	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220	데이터시트	714재고 상태	컷 테이프 ₩9,328.9 ₩4,946.3 ₩4,523.5 ₩3,790.7 릴 ₩3,762.6 보기 ₩3,720.3 견적	최소: 1 배수: 1 : 1,000	Through Hole	TO-220-3	N-Channel		650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.65 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220 TP65H150G4PS Renesas Electronics 1: ₩7,750.6 1,651재고 상태	제조업체 부품 번호 TP65H150G4PS Mouser 부품 번호 227-TP65H150G4PS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220 Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,651재고 상태	₩7,750.6 ₩4,129 ₩3,720.3 ₩3,128.4 ₩3,114.3	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	180 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT TP65B110HRU-TR Renesas Electronics 1: ₩11,245.4 1,152주문 중 신제품	제조업체 부품 번호 TP65B110HRU-TR Mouser 부품 번호 227-TP65B110HRU-TR 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT Renesas Electronics renesas tp65b110hru bi directional switch 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,152주문 중	컷 테이프 ₩11,245.4 ₩7,623.8 ₩5,566.3 ₩5,397.2 ₩5,016.8 릴 ₩4,396.7 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,500															SuperGaN
GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP TP70H135G4PJSGB-TR Renesas Electronics 5,000: ₩1,578.3 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 TP70H135G4PJSGB-TR Mouser 부품 번호 227-P70H135G4PJSGBTR 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩1,578.3	최소: 5,000 배수: 5,000 : 5,000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	15.8 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP TP70H135G4PLSGB-TR Renesas Electronics 3,000: ₩1,705.1 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 TP70H135G4PLSGB-TR Mouser 부품 번호 227-P70H135G4PLSGBTR 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩1,705.1	최소: 3,000 배수: 3,000 : 3,000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	700 V	14.6 A	169 mOhms	20 V	2.5 V	5.9 nC	- 55 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L TP65H035G4YS Renesas Electronics 1,200: ₩7,736.5 비재고 리드 타임 26 주	제조업체 부품 번호 TP65H035G4YS Mouser 부품 번호 227-TP65H035G4YS	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	₩7,736.5	최소: 1,200 배수: 600	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46.5 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.6 V	42.7 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL TP65H050G4QS-TR Renesas Electronics 2,000: ₩6,651.4 비재고 리드 타임 26 주	제조업체 부품 번호 TP65H050G4QS-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H050G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩6,651.4	최소: 2,000 배수: 2,000 : 2,000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	34 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGBEA-TR Renesas Electronics 3,000: ₩4,326.2 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 TP65H070G4LSGBEA-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H070G4LSGBEA 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩4,326.2	최소: 3,000 배수: 3,000 : 3,000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H070G4LSGEA-TR Renesas Electronics 3,000: ₩4,298.1 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 TP65H070G4LSGEA-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H070G4LSGEAT 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩4,298.1	최소: 3,000 배수: 3,000 : 3,000		PQFN-8			650 V										SuperGaN
GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL TP65H070G4QS-TR Renesas Electronics 2,000: ₩4,833.6 비재고 리드 타임 26 주	제조업체 부품 번호 TP65H070G4QS-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H070G4QS-TR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Renesas Electronics transphorm tp65h035g4ys supergan fet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩4,833.6	최소: 2,000 배수: 2,000 : 2,000	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	60 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	8.4 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP65H100G4LSGB-TR Renesas Electronics 3,000: ₩3,029.8 비재고 리드 타임 26 주	제조업체 부품 번호 TP65H100G4LSGB-TR Mouser 부품 번호 227-TP65H100G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩3,029.8	최소: 3,000 배수: 3,000 : 3,000	SMD/SMT	PQFN-8	N-Channel	1 Channel	650 V	18.9 A	110 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 150 C		Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP TP70H130G4PLSG-TR Renesas Electronics 3,000: ₩1,705.1 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 TP70H130G4PLSG-TR Mouser 부품 번호 227-TP70H130G4PLSGTR 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩1,705.1	최소: 3,000 배수: 3,000 : 3,000	SMD/SMT	PQFN-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220 TP70H130G4PPS Renesas Electronics 1,250: ₩2,142 비재고 리드 타임 26 주 신제품	제조업체 부품 번호 TP70H130G4PPS Mouser 부품 번호 227-TP70H130G4PPS 신제품	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	₩2,142 ₩2,085.6 ₩2,029.2	최소: 1,250 배수: 1,250	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	163 mOhms	20 V	4.8 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	69.4 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSG-TR Renesas Electronics 3,000: ₩1,888.3 비재고 리드 타임 26 주	제조업체 부품 번호 TP70H150G4LSG-TR Mouser 부품 번호 227-TP70H150G4LSG-TR	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩1,888.3	최소: 3,000 배수: 3,000 : 3,000					700 V										SuperGaN	GaN
GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN TP70H150G4LSGB-TR Renesas Electronics 3,000: ₩1,775.6 비재고 리드 타임 26 주	제조업체 부품 번호 TP70H150G4LSGB-TR Mouser 부품 번호 227-TP70H150G4LSGBTR	Renesas Electronics	GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Renesas Electronics transphorm genIV supergan fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	릴 ₩1,775.6	최소: 3,000 배수: 3,000 : 3,000					700 V										SuperGaN	GaN

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