Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

결과: 49
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
데이터시트
345재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
데이터시트
692재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
데이터시트
1,235재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
데이터시트
719재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
데이터시트
560재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
2,652재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220
데이터시트
858재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
데이터시트
1,659재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
3,764재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
2,446재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220
데이터시트
1,808재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
1,475재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 4,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
데이터시트
1,254예상 2026-09-18
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,200
배수: 600

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN