DDR4 DRAM Solutions

ATP Electronics DDR4 DRAM Solutions combine up to 3200 MT/s data transfer rate and a mere 1.2V power consumption. This delivers faster performance at higher power savings over earlier DRAM technologies. As the evolutionary transition from DDR3, DDR4 supports features and functions that are well-suited for increasing bandwidth capabilities to support the growth of online traffic.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 메모리 크기 메모리 타입 속도 작동 공급 전압 핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC Module 3재고 상태
₩73,926.6
₩68,740.8
₩61,906.2
₩60,778.8
최소: 1
배수: 1
DIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb ECC SODIMM 20재고 상태
₩84,101.1
₩77,985.1
₩70,657.3
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
₩845,069.1
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unbuffered Non ECC Module 비재고 리드 타임 42 주
₩5,909,099.7
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
₩134,930.9
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
₩249,301.6
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
₩68,388.5
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
₩95,670.6
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM 비재고 리드 타임 29 주
₩161,085.7
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V