결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,563재고 상태
1,000주문 중
컷 테이프
₩54,451.5
₩44,432.1
₩39,260.3
₩39,034.8
릴
₩36,653.3
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,011재고 상태
컷 테이프
₩39,147.6
₩27,042.5
₩26,972.1
₩25,492.4
릴
₩23,787.3
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 235재고 상태
컷 테이프
₩25,097.9
₩19,122.8
₩15,938.1
₩14,204.7
릴
₩13,260.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,593재고 상태
컷 테이프
₩19,066.5
₩11,640
₩11,414.5
릴
₩10,864.9
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,601재고 상태
2,000주문 중
컷 테이프
₩7,426.5
₩3,861.2
₩3,508.9
₩3,100.2
릴
₩3,086.1
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79재고 상태
1,000예상 2026-12-17
컷 테이프
₩16,079
₩11,372.2
₩9,469.8
₩8,441.1
릴
₩7,891.5
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 250재고 상태
1,000예상 2026-11-19
컷 테이프
₩13,218.3
₩9,033
₩7,440.6
₩6,637.3
릴
₩6,214.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 227재고 상태
2,000예상 2026-12-03
컷 테이프
₩11,569.5
₩8,145.2
₩6,595.1
₩5,862.3
릴
₩5,185.9
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 182재고 상태
4,000주문 중
컷 테이프
₩9,103.4
₩5,960.9
₩4,396.7
₩3,903.5
릴
₩3,452.5
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1,999예상 2026-11-19
컷 테이프
₩28,634.9
₩21,391.7
₩18,502.8
₩17,516.4
릴
₩16,360.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000예상 2026-12-03
컷 테이프
₩10,061.7
₩6,736
₩5,411.3
₩4,805.4
릴
₩4,255.8
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement