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STP65N150M9

Name: STMicroelectronics STP65N150M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP65N150M9
Price: 7347 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STP65N150M9

제조업체 번호:

STP65N150M9

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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데이터시트:

STP65N150M9 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	20 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	150 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.2 V
Qg - 게이트 전하:	32 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	140 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	5 ns
시리즈:	MDmesh M9
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	40 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STP65N150M9 데이터시트 (PDF)

Other

Super-junction Power MOSFETs for best efficiency (PDF)

PCN

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규정 준수 코드

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

STP65N150M9 전력 MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9 전력 MOSFET은 초접합 MDmesh M9 기술을 기반으로 합니다. 이 장치는 면적당 매우 낮은 R_DS(on)를 특징으로 하는 중/고 전압 MOSFET에 적합합니다. 실리콘 기반 M9 기술은 다중 드레인 제조 공정의 이점을 제공하여 장치 구조를 향상시킬 수 있습니다. 결과적으로 생성되는 이 제품은 모든 실리콘 기반 고속 스위칭 초접합 전력 MOSFET 사이에서 낮은 온 상태 저항과 게이트 충전 값을 제공합니다. 이러한 기능 덕분에 이 장치는 우수한 전력 밀도와 뛰어난 효율성이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.

MDmesh™ M9 전력 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9 전력 MOSFET는 향상된 장치 구조, 낮은 온 상태 저항 및 낮은 게이트 전하 값이 특징입니다. 이러한 전력 MOSFET은 고역 다이오드 dv/dt 및 MOSFET dv/dt 견고성, 고출력 밀도, 저전도 손실을 제공합니다. MDmesh M9 전력 MOSFET는 또한 높은 스위칭 속도, 높은 효율 및 낮은 스위칭 전력 손실을 제공합니다. 이 전력 MOSFET은 인상적인 FoM(성능 지수)를 제공하는 혁신적인 고전압 초접합 기술로 설계되었습니다. 높은 FoM은 더욱 콤팩트한 솔루션을 위해 더 높은 전력 레벨과 밀도를 구현합니다. 일반적으로 서버, 전기 통신 데이터 센터, 5G 파워 스테이션, 마이크로 인버터 및 고속 충전기에 사용됩니다.