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표준 N-채널 HiPerFET™ 전력 MOSFET

IXYS 표준 N-채널 HiPerFET™ 전력 MOSFET은 하드 스위칭 및 공진 모드 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 이 장치는 고속 진성 다이오드로 낮은 게이트 전하량과 우수한 견고성을 제공합니다. 이 장치는 분리된 유형을 포함하여 여러 표준 산업 패키지로 제공됩니다.

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결과: 8

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

Pd - 전력 발산

상표명

포장

전체 재설정

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재고 상태

재고 상태 정상

판매 중

신제품

RoHS 준수

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	기술	장착 스타일	패키지/케이스	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명	포장
	MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds IXFP3N120 IXYS 1: ₩16,389 415재고 상태	제조업체 부품 번호 IXFP3N120 Mouser 부품 번호 747-IXFP3N120	IXYS	MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	415재고 상태	₩16,389 ₩9,498 ₩8,455.2 ₩8,159.3	최소: 1 배수: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds IXFA3N120 IXYS 1: ₩13,866.5 1,528재고 상태	제조업체 부품 번호 IXFA3N120 Mouser 부품 번호 747-IXFA3N120	IXYS	MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,528재고 상태	₩13,866.5 ₩9,934.9 ₩9,343	최소: 1 배수: 1			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 600V 44A IXFX44N60 IXYS 1: ₩45,122.6 300구매 가능한 공장 재고품	제조업체 부품 번호 IXFX44N60 Mouser 부품 번호 747-IXFX44N60	IXYS	MOSFET 600V 44A IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	300구매 가능한 공장 재고품 추가 정보 있음	₩45,122.6 ₩36,822.4 ₩32,749.8	최소: 1 배수: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	130 mOhms	20 V	4.5 V	330 nC	- 55 C	+ 150 C	560 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET IXFA3N120 TRL IXFA3N120-TRL IXYS 800: ₩9,934.9 비재고 리드 타임 36 주	제조업체 부품 번호 IXFA3N120-TRL Mouser 부품 번호 747-IXFA3N120-TRL	IXYS	MOSFET IXFA3N120 TRL IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 36 주	릴 ₩9,934.9	최소: 800 배수: 800 : 800			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement		Reel
	MOSFET IXFA3N120 TRR IXFA3N120-TRR IXYS 800: ₩9,934.9 비재고 리드 타임 36 주	제조업체 부품 번호 IXFA3N120-TRR Mouser 부품 번호 747-IXFA3N120-TRR	IXYS	MOSFET IXFA3N120 TRR IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 36 주	릴 ₩9,934.9	최소: 800 배수: 800 : 800			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	1.2 kV	3 A	4.5 Ohms	20 V	2.5 V	39 nC	- 55 C	+ 150 C	200 W	Enhancement		Reel
	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds IXFK180N07 IXYS 25: ₩25,647.4 비재고 리드 타임 26 주	제조업체 부품 번호 IXFK180N07 Mouser 부품 번호 747-IXFK180N07	IXYS	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 26 주	₩25,647.4 ₩19,897.9	최소: 25 배수: 25			Si	Through Hole	TO-264-3	N-Channel	1 Channel	70 V	180 A	6 mOhms	20 V			- 55 C	+ 150 C	560 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds IXFR180N07 IXYS 1: ₩29,621.4 재고 없음	제조업체 부품 번호 IXFR180N07 Mouser 부품 번호 747-IXFR180N07	IXYS	MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	재고 없음	₩29,621.4 ₩22,124.4 ₩19,122.8 ₩18,108.2 견적 견적	최소: 1 배수: 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	70 V	180 A	6 mOhms	20 V			- 55 C	+ 150 C	400 W	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET 600V 38A IXFR44N60 IXYS 300: ₩37,132.4 비재고 리드 타임 31 주	제조업체 부품 번호 IXFR44N60 Mouser 부품 번호 747-IXFR44N60	IXYS	MOSFET 600V 38A IXYS standard hiperfet power mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 31 주	₩37,132.4 견적 견적	최소: 300 배수: 30			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	38 A	130 mOhms	20 V	2.5 V	330 nC	- 55 C	+ 150 C	400 W	Enhancement	HiPerFET	Tube