950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET은 SJ(초접합) 기술을 제공합니다. SJ 기술은 동급 최고의 성능과 최첨단 사용 편의성을 통합하여 조명 및 산업용 SMPS 애플리케이션에 이상적입니다. PFDJ는 최저 Qrr(역회복 전하)로 공진 토폴로지에서 사용할 수 있는 통합 초고속 바디 다이오드를 제공합니다.

결과: 10
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,914재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
944재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
736재고 상태
1,000예상 2026-07-29
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,965재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
374재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
419재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
721재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
318재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
747재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
2,400예상 2026-08-07
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube