Si77 MOSFET

Vishay Si77 MOSFET은 SkyFET® 모놀리식 TrenchFET® Gen III 기술 및 통합 SCHOTTKY 다이오드가 특징입니다. 이 Vishay MOSFET은 100% Rg 및 UIS 테스트를 거쳐 신뢰도와 성능을 보장합니다. 이 MOSFET은 IEC 61249-2-21 정의에 따라 무할로겐입니다. PowerPAK® 패키지로 제공되는 이 MOSFET은 열 저항이 낮고 크기가 작으며 1.07 mm의 슬림한 프로파일을 자랑하여 공간과 열 관리가 중요한 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 5
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
데이터시트
2,216재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 30 A 38 mOhms 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
데이터시트
5,867재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35.6 A 13 mOhms 20 V 2.5 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 29.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
데이터시트
2,472재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 13.5 mOhms 20 V 2.5 V 15.4 nC - 55 C + 150 C 27.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
데이터시트
113재고 상태
3,000예상 2028-02-25
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 30 A 38 mOhms 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V 35A 52W 9.5mohm @ 10V
데이터시트
비재고 리드 타임 38 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 35 A 9.5 mOhms 20 V 2.6 V 28.5 nC - 50 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET Reel