TOLL 패키지로 제공되는 SiC MOSFET C3M™

TOLL 패키지의 Wolfspeed SiC MOSFET C3M™ 은 표준 실리콘 MOSFET보다 훨씬 낮은 온 상태 저항 온도 의존성을 제공합니다. MOSFET은 우수한 스위칭 속도와 낮은 전도 손실이 특징이며, 차세대 전원 공급 장치를 위해 높은 전력에서 고효율을 달성하는 데 매우 중요합니다. SiC MOSFET은 엔터프라이즈, 서버 및 통신 전원 공급 장치, 전기 자동차 충전, 에너지 저장 및 배터리 관리 시스템을 포함한 고성능 전력 전자 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
데이터시트
1,766재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TOLL,T&R, Industrial
데이터시트
1,148재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial
데이터시트
903재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
데이터시트
792재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement