AgileSwitch® 위상 레그 SiC MOSFET 전력 모듈

Microsemi/Microchip AgileSwitch® 위상 레그 SiC(탄화 규소) MOSFET 전력 모듈은 SiC MOSFET 및 SiC 다이오드로 제작되고 두 장치의 장점을 결합하고 있습니다. 이 전력 모듈은 최대 표류 인덕턴스가 3nH인 극히 낮은 인덕턴스 SP6LI 패키지가 특징입니다. 이 SP6LI 전력 모듈은 +80°C의 케이스 온도(Tc)를 갖는 1,200V 및 1,700V 변형 제품으로 제공됩니다. 더 높은 전력 밀도와 콤팩트한 폼 팩터를 제공하는 SP6LI 패키지는 더 적은 양의 모듈을 병렬로 구현하여 완벽한 시스템을 달성하므로 설계자는 장비의 크기를 더욱 줄일 수 있습니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 제품
타입
기술
Vf - 순방향 전압
Vr - 역 전압
Vgs - 게이트 소스 전압
장착 스타일
패키지/케이스
최저 작동온도
최고 작동온도
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
데이터시트
리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2
배수: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C