GaNEXUS GaN FET

onsemi GaNEXUS™ 질화갈륨 전계 효과 트랜지스터(GaN FET)는 GaN의 와이드 밴드갭(wide-bandgap) 소재 특성을 활용하여, 실리콘 전력 트랜지스터 대비 빠른 스위칭 속도와 낮은 게이트 및 출력 전하량을 구현하며 효율성을 한층 높여줍니다. 이러한 특성 덕분에 저전압부터 중전압, 고전압, 초고전압에 이르는 다양한 전력 변환 애플리케이션에서 더 높은 동작 주파수와 향상된 전력 밀도를 달성할 수 있으며, 자기 소자(magnetics)의 크기를 줄이는 것도 가능해집니다. 인핸스먼트 모드(enhancement-mode) 방식의 개별 GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 40V에서 650V까지의 전압 범위를 지원합니다. 여기에는 보호 기능이 내장된 650V GaNEXUS Smart GaN FET도 포함되어 있어, 시스템 신뢰성을 높이고 시스템 통합 과정을 간소화할 수 있습니다. onsemi GaNEXUS 제품군은 산업 자동화, 로봇 공학, AI 데이터 센터, 자동차 전동화, 에너지 인프라와 같은 분야에 이상적입니다.

결과: 21
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 최대 작동 주파수 기술
onsemi GaN FET 650V 35MR LGAN TOLL 2,400재고 상태
컷 테이프
₩22,349.9
₩13,260.6
릴
₩10,836.7
최소: 1
배수: 1
: 1,200
SMD/SMT PDSO-F9 HEMT 1 Channel 650 V 64 A 27 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 650V 50MR LGAN TOLL 2,400재고 상태
컷 테이프
₩16,064.9
₩8,976.6
₩8,624.3
릴
₩7,046
최소: 1
배수: 1
: 1,200
SMD/SMT PDSO-F9 HEMT 1 Channel 650 V 40 A 39 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK 1,932재고 상태
컷 테이프
₩4,594
₩2,987.5
₩2,057.4
₩1,719.2
₩1,592.4
릴
₩1,493.8
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 105 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8 1,954재고 상태
컷 테이프
₩4,974.5
₩3,241.2
₩2,268.8
₩1,902.4
₩1,761.5
릴
₩1,662.9
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 21 A 100 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8 1,970재고 상태
컷 테이프
₩4,537.6
₩2,945.2
₩2,029.2
₩1,691
₩1,564.2
릴
₩1,479.7
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 130 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.65 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8 2,500재고 상태
컷 테이프
₩2,466.1
₩1,648.8
₩1,382.4
₩1,337.3
릴
₩1,290.8
₩1,248.6
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-9 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 100V 2.5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL 1,750재고 상태
컷 테이프
₩8,765.2
₩5,749.5
₩4,227.6
₩3,762.6
₩3,325.7
릴
₩3,325.7
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 183 A 2.7 mOhms - 4 V to 6 V 2.1 V 7.3 nC - 40 C + 150 C 250 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL 1,741재고 상태
컷 테이프
₩6,538.7
₩4,284
₩3,198.9
₩2,677.5
₩2,494.3
릴
₩2,325.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PTFP-N9 N-Channel 1 Channel 100 V 146 A 3.8 mOhms - 4 V to 6 V 5.2 nC - 40 C + 150 C 208 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK 1,983재고 상태
컷 테이프
₩2,043.3
₩1,350
₩1,124.5
₩1,080.9
₩1,078
릴
₩1,007.6
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PDSO-E3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 170 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.1 nC - 55 C + 150 C 64 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 650V 35MR LGAN TOLT
2,400예상 2026-12-11
컷 테이프
₩21,363.5
₩12,598.2
릴
₩11,823.2
최소: 1
배수: 1
: 1,200
SMD/SMT PDSO-G16 HEMT 1 Channel 650 V 64 A 27 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 462 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLL
1,200예상 2026-11-16
컷 테이프
₩28,212.2
₩21,067.5
₩18,221
₩17,248.6
₩16,107.2
릴
₩16,107.2
최소: 1
배수: 1
: 2,400
SMD/SMT PDSO-F9 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 25 mOhms 10 V to 24 V + 150 C Enhancement GaNEXUS 2 MHz GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS SMART, 650V, 19m, TOLT
1,200예상 2026-11-16
컷 테이프
₩24,956.9
₩18,545.1
₩17,248.6
₩16,107.2
릴
₩16,107.2
최소: 1
배수: 1
: 2,400
SMD/SMT PDSO-G16 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 25 mOhms 10 V to 24 V + 150 C Enhancement GaNEXUS 2 MHz GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 40V, 0.5m, 5x6 Dual Cool
1,250예상 2026-11-17
컷 테이프
₩11,245.4
₩7,919.7
₩6,411.9
₩5,693.2
₩5,044.9
릴
₩5,044.9
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 40 V 819 A 0.7 mOhms - 4 V to 6 V 1.2 V 52 nC - 40 C + 150 C 962 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.1m, 5x6 Dual Cool
1,250예상 2026-11-17
컷 테이프
₩11,245.4
₩7,919.7
₩6,411.9
₩5,693.2
₩5,044.9
릴
₩5,044.9
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 100 V 474 A 1.5 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 19 nC - 55 C + 150 C 658 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 150V, 1.6m, 5x6 Dual Cool
1,250예상 2026-11-17
컷 테이프
₩14,387.9
₩10,174.4
₩8,469.3
₩7,553.3
₩7,046
릴
₩7,046
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 150 V 2.2 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 34 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 1.9m, 5x6 Dual Cool
1,250예상 2026-11-17
컷 테이프
₩9,526.2
₩6,383.7
₩5,129.5
₩4,565.8
₩4,030.3
릴
₩4,030.3
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 100 V 275 A 2.5 mOhms - 4 V to 6 V 1.2 V 11 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 200V, 2.6m, 5x6 Dual Cool
1,250예상 2026-11-17
컷 테이프
₩14,387.9
₩10,174.4
₩8,469.3
₩7,553.3
₩7,046
릴
₩7,046
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 200 V 3.6 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 30 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET ENGINEERING SAMPLE - GaNEXUS FET, 100V, 0.8m, 5x6 Dual Cool
1,250예상 2027-11-11
컷 테이프
₩12,894.2
₩8,807.5
₩7,271.5
₩6,468.2
₩6,045.5
릴
₩6,045.5
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT PDSO-N8 N-Channel 1 Channel 100 V 1 mOhms - 4 V to 6 V 1.1 V 39 nC - 55 C + 150 C Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLL
1,200예상 2026-12-11
컷 테이프
₩16,642.7
₩12,034.6
₩10,033.5
₩8,934.3
릴
₩7,581.5
최소: 1
배수: 1
: 1,200
SMD/SMT PDSO-F9 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 55 mOhms 22 V + 150 C 271 W Enhancement GaNEXUS 2 MHz GaN
onsemi GaN FET GaNEXUS SMART, 650V, 42m, TOLT
1,200예상 2027-01-11
컷 테이프
₩15,360.3
₩11,118.6
₩9,568.5
₩8,948.4
릴
₩8,356.6
최소: 1
배수: 1
: 1,200
SMD/SMT PDSO-G16 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 55 mOhms 22 V + 150 C 338 W Enhancement GaNEXUS GaN
onsemi GaN FET 650V 50MR LGAN TOLT
2,400예상 2026-12-08
컷 테이프
₩15,388.5
₩10,033.5
₩8,765.2
₩8,173.4
릴
₩7,553.3
최소: 1
배수: 1
: 1,200
SMD/SMT PDSO-G16 HEMT 1 Channel 650 V 40 A 39 mOhms - 6 V, + 7 V 1.5 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement GaNEXUS GaN