GaN FET – Mouser 대한민국

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

GaNEXUS™ 질화갈륨 FET

트랜지스터 Onsemi 질화갈륨 FET(GaN FETs)™는 질화갈륨의 광대역 소재 특성을 사용하여, 실리콘 전력 트랜지스터에 비해 빠른 스위칭, 낮은 게이트 및 출력 전하 그리고 향상된 효율성을 제공합니다. 이러한 기능은 저전압, 중전압, 고전압 및 초고전압 전력 변환 애플리케이션에서 작동 주파수를 높이고 전력 밀도를 증가시키며 자기성을 줄일 수 있습니다. 향상 모드 개별 질화갈륨 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 40V~650V의전압 범위를 제공하며, 신뢰도를 향상시키고 시스템 통합을 간소화하기 위해 통합 보호 기능이 있는 650V GaNEXUS Smart질화갈륨 FET를 포함합니다. onsemi GaNEXUS 제품군의 이상적인 응용 분야에는 산업 자동화, 로봇 공학, AI 데이터 센터, 자동차 전화 및 에너지 인프라가 포함됩니다.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

결과: 11

적용된 필터:

패키지/케이스

트랜지스터 극성

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

Pd - 전력 발산

상표명

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명	기술
GaN FET GaN FET, 700V, 75m, DPAK NTD100N70GN1TXG onsemi 1: ₩4,492.8 2,440재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 NTD100N70GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTD100N70GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET GaN FET, 700V, 75m, DPAK onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,440재고 상태	컷 테이프 ₩4,492.8 ₩2,886 ₩1,965.6 릴 ₩1,965.6	최소: 1 배수: 1 최대: 250 : 250	SMD/SMT	DPAK-3	N-Channel	1 Channel	700 V	21 A	100 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	105 W	Enhancement	GaNEXUS	GaN
GaN FET GaN FET, 700V, 75m, 8x8 NTMT100N70GN1TXG onsemi 1: ₩4,664.4 2,463재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 NTMT100N70GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTMT100N70GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET GaN FET, 700V, 75m, 8x8 onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,463재고 상태	컷 테이프 ₩4,664.4 ₩3,010.8 ₩2,074.8 릴 ₩2,074.8	최소: 1 배수: 1 최대: 246 : 250	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	21 A	100 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.8 nC	- 55 C	+ 150 C	111 W	Enhancement	GaNEXUS	GaN
GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8 NTMT130N70GN1TXG onsemi 1: ₩4,258.8 2,472재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 NTMT130N70GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTMT130N70GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8 onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,472재고 상태	컷 테이프 ₩4,258.8 ₩2,745.6 ₩1,887.6 릴 ₩1,887.6	최소: 1 배수: 1 최대: 248 : 250	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	16 A	130 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.65 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	GaNEXUS	GaN
GaN FET GaN FET, 700V, 132m, 8x8 NTMT170N70GN1TXG onsemi 1: ₩2,371.2 2,500재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 NTMT170N70GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTMT170N70GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET GaN FET, 700V, 132m, 8x8 onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,500재고 상태	컷 테이프 ₩2,371.2 ₩1,575.6 ₩1,305.7 릴 ₩1,305.7	최소: 1 배수: 1 최대: 250 : 250	SMD/SMT	DFN-9	N-Channel	1 Channel	700 V	12 A	170 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.1 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	GaNEXUS	GaN
GaN FET GaN FET, 700V, 132m, DPAK NTD170N70GN1TXG onsemi 1: ₩3,198 2,488재고 상태 신제품	제조업체 부품 번호 NTD170N70GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTD170N70GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET GaN FET, 700V, 132m, DPAK onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,488재고 상태	컷 테이프 ₩3,198 ₩2,043.6 ₩1,374.4 릴 ₩1,374.4	최소: 1 배수: 1 최대: 249 : 250	SMD/SMT	PDSO-E3	N-Channel	1 Channel	700 V	12 A	170 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.1 nC	- 55 C	+ 150 C	64 W	Enhancement	GaNEXUS	GaN
GaN FET 650V, 35MR LGAN TOLL NTBL035N65GN1TXG onsemi 1: ₩23,649.6 2,400예상 2026-10-26 신제품	제조업체 부품 번호 NTBL035N65GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTBL035N65GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET 650V, 35MR LGAN TOLL onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,400예상 2026-10-26	컷 테이프 ₩23,649.6 ₩13,946.4 릴 ₩13,088.4 보기 견적	최소: 1 배수: 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	HEMT	1 Channel	650 V	64 A	27 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	367 W	Enhancement		GaN
GaN FET 650V, 35MR LGAN TOLT NTBT035N65GN1TXG onsemi 1: ₩23,649.6 2,400예상 2027-04-09 신제품	제조업체 부품 번호 NTBT035N65GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTBT035N65GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET 650V, 35MR LGAN TOLT onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,400예상 2027-04-09	컷 테이프 ₩23,649.6 ₩13,946.4 릴 ₩13,088.4 보기 견적	최소: 1 배수: 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	HEMT	1 Channel	650 V	64 A	27 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	16 nC	- 55 C	+ 150 C	462 W	Enhancement		GaN
GaN FET 650V, 50MR LGAN TOLL NTBL050N65GN1TXG onsemi 1: ₩17,784 2,400예상 2026-10-26 신제품	제조업체 부품 번호 NTBL050N65GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTBL050N65GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET 650V, 50MR LGAN TOLL onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,400예상 2026-10-26	컷 테이프 ₩17,784 ₩12,870 ₩10,717.2 ₩9,547.2 릴 ₩8,112 견적 견적	최소: 1 배수: 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-F9	HEMT	1 Channel	650 V	40 A	39 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement		GaN
GaN FET 650V, 50MR LGAN TOLT NTBT050N65GN1TXG onsemi 1: ₩17,784 2,400예상 2026-10-26 신제품	제조업체 부품 번호 NTBT050N65GN1TXG Mouser 부품 번호 863-NTBT050N65GN1TXG 신제품	onsemi	GaN FET 650V, 50MR LGAN TOLT onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,400예상 2026-10-26	컷 테이프 ₩17,784 ₩12,870 ₩10,717.2 ₩9,547.2 릴 ₩8,252.4 보기 견적	최소: 1 배수: 1 : 1,200	SMD/SMT	PDSO-G16	HEMT	1 Channel	650 V	40 A	39 mOhms	- 6 V, + 7 V	1.5 V	10.9 nC	- 55 C	+ 150 C	312 W	Enhancement		GaN
GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool NTLCC3D5N10GN1TWG onsemi 1: ₩8,829.6 2,500예상 2026-10-30 신제품	제조업체 부품 번호 NTLCC3D5N10GN1TWG Mouser 부품 번호 863-TLCC3D5N10GN1TWG 신제품	onsemi	GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 2.7m, 3.3x3.3 Dual Cool onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,500예상 2026-10-30	컷 테이프 ₩8,829.6 ₩5,787.6 ₩4,258.8 릴 ₩4,258.8	최소: 1 배수: 1 최대: 250 : 2,500	SMD/SMT	PTFP-N9	N-Channel	1 Channel	100 V	183 A	2.7 mOhms	- 4 V to 6 V	2.1 V	7.3 nC	- 40 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	GaNEXUS	GaN
GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool NTLCC5D0N10GN1TWG onsemi 1: ₩6,302.4 2,500예상 2026-11-27 신제품	제조업체 부품 번호 NTLCC5D0N10GN1TWG Mouser 부품 번호 863-TLCC5D0N10GN1TWG 신제품	onsemi	GaN FET GaNEXUS FET, 100V, 3.8m, 3.3x3.3 Dual Cool onsemi ganexus fets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	2,500예상 2026-11-27	컷 테이프 ₩6,302.4 ₩4,134 ₩3,073.2 릴 ₩3,073.2	최소: 1 배수: 1 최대: 250 : 2,500	SMD/SMT	PTFP-N9	N-Channel	1 Channel	100 V	146 A	3.8 mOhms	- 4 V to 6 V		5.2 nC	- 40 C	+ 150 C	208 W	Enhancement	GaNEXUS	GaN

GaNEXUS™ 질화갈륨 FET

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