저손실 Duopack IGBT

Infineon Technologies 저손실 Duopack IGBT는 Trenchstop™ 및 Fieldstop™ 기술로 견고한 습도 설계를 제공합니다. 저손실 Duopack IGBT는 매우 부드럽고 빠른 복구 역병렬 다이오드, 짧은 테일 전류 및 매우 낮은 VCEsat가 특징입니다.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 3,906재고 상태
₩6,989.6
₩3,875.3
₩3,198.9
₩2,874.8
₩2,522.5
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 834재고 상태
₩9,836.2
₩5,636.8
₩4,706.7
₩4,692.6
₩4,326.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 470재고 상태
₩5,890.5
₩3,241.2
₩2,663.4
₩2,212.4
₩2,170.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 1,411재고 상태
₩7,821.1
₩4,805.4
₩3,720.3
₩3,058
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
1,430주문 중
₩9,018.9
₩5,101.3
₩4,030.3
₩3,833
₩3,551.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube