SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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SCTW70N120G2V 1,200V 91A SiC 전력 MOSFET

STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1,200V SiC(탄화 규소) 전력 MOSFET은 최소 온 상태 저항 및 넓은 밴드갭 재료의 첨단 혁신적 특성 덕분에 온도에 거의 영향을 받지 않는 매우 우수한 스위칭 성능을 제공합니다. 또한 SCTW70N120G2V는 매우 빠르고 견고한 진성 바디 다이오드와 극히 낮은 게이트 전하 및 입력 용량을 제공합니다. 200°C의 고온 정격을 통해 전력 전자 시스템의 열 설계를 개선할 수 있습니다.

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결과: 5

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

채널 수

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

자격

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	자격
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩28,212.2 181재고 상태 600주문 중	제조업체 부품 번호 SCT020W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	181재고 상태 600주문 중	₩28,212.2 ₩16,713.1	최소: 1 배수: 1			Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ₩19,447 20재고 상태 1,200주문 중	제조업체 부품 번호 SCT070W120G3-4AG Mouser 부품 번호 511-SCT070W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	20재고 상태 1,200주문 중	₩19,447 ₩12,992.8 ₩12,217.8 ₩10,963.6 ₩10,301.3	최소: 1 배수: 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: ₩20,673 599예상 2026-12-14	제조업체 부품 번호 SCT070HU120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	599예상 2026-12-14	컷 테이프 ₩20,673 ₩14,190.6 ₩12,499.6 릴 ₩11,273.6	최소: 1 배수: 1 : 600			SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package SCT070H120G3AG STMicroelectronics 1: ₩18,221 비재고 리드 타임 25 주	제조업체 부품 번호 SCT070H120G3AG Mouser 부품 번호 511-SCT070H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 25 주	컷 테이프 ₩18,221 ₩13,584.7 ₩11,315.9 ₩10,089.9 릴 ₩9,427.5	최소: 1 배수: 1 : 1,000			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT070W120G3-4 STMicroelectronics 1: ₩17,784.1 비재고 리드 타임 36 주	제조업체 부품 번호 SCT070W120G3-4 Mouser 부품 번호 511-SCT070W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 36 주	₩17,784.1 ₩13,246.5 ₩11,034 ₩9,836.2	최소: 1 배수: 1			Through Hole	HiP247-4		1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 200 C	236 W	Enhancement