SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명
	SiC MOSFET SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: ₩30,946 710재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 AIMW120R045M1XKSA1 Mouser 부품 번호 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SIC_DISCRETE Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	710재고 상태	₩30,946 ₩23,012.2	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩20,602.5 1,701재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,701재고 상태	₩20,602.5 ₩12,386.9 ₩12,231.9	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩14,669.8 298재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	298재고 상태	₩14,669.8 ₩8,441.1 ₩7,821.1	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩8,525.7 24,930주문 중	제조업체 부품 번호 IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	24,930주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMBF170R1K0M1XTMA1 재고: 0 주문 중: 1,930 예상 2027-01-07 23,000 미정 공장 리드 타임: 53 주	컷 테이프 ₩8,525.7 ₩5,580.4 ₩4,171.2 ₩3,494.8 릴 ₩3,029.8 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩26,126.6 2,160주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R030M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	2,160주문 중	₩26,126.6 ₩19,897.9 ₩16,586.3 ₩14,768.4 ₩13,796.1	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩11,668.2 978주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R140M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	978주문 중	₩11,668.2 ₩7,201 ₩6,651.4 ₩5,284.5	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩12,344.6 비재고 리드 타임 52 주 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R072M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	비재고 리드 타임 52 주	₩12,344.6 ₩7,257.4 ₩6,017.3 ₩5,989.1	최소: 1 배수: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC