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RoHS

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결과: 4

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

트랜지스터 극성

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

채널 모드

포장

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선택	이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	RoHS	ECAD 모델	기술	장착 스타일	패키지/케이스	트랜지스터 극성	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	포장
	MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 SIR608DP-T1-RE3 Vishay Semiconductors 1: ₩3,945.8 3,174재고 상태	제조업체 부품 번호 SIR608DP-T1-RE3 Mouser 부품 번호 78-SIR608DP-T1-RE3	Vishay Semiconductors	MOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 Vishay Semiconductors vishay siliconix trenchfet gen iv mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	3,174재고 상태	컷 테이프 ₩3,945.8 ₩2,550.7 ₩1,747.4 ₩1,423.3 릴 ₩1,268.3 보기 ₩1,314.8 ₩1,228.8 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-8	N-Channel	1 Channel	45 V	208 A	1.2 mOhms	- 16 V, 20 V	1.1 V	167 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET N-CHANNEL 650V SIHB24N65EFT5-GE3 Vishay Semiconductors 800: ₩4,424.9 비재고 리드 타임 30 주 신제품	제조업체 부품 번호 SIHB24N65EFT5-GE3 Mouser 부품 번호 78-SIHB24N65EFT5-GE3 신제품	Vishay Semiconductors	MOSFET N-CHANNEL 650V	데이터시트	비재고 리드 타임 30 주	₩4,424.9	최소: 800 배수: 800			Si
	MOSFET N-CHANNEL 650V SIHG28N65E-GE3 Vishay Semiconductors 500: ₩4,819.5 비재고 리드 타임 28 주 신제품	제조업체 부품 번호 SIHG28N65E-GE3 Mouser 부품 번호 78-SIHG28N65E-GE3 신제품	Vishay Semiconductors	MOSFET N-CHANNEL 650V	데이터시트	비재고 리드 타임 28 주	₩4,819.5 ₩4,551.7	최소: 500 배수: 500			Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel
	MOSFET N-CHANNEL 600V SIHP33N60E-E3 Vishay Semiconductors 1,000: ₩4,171.2 비재고 리드 타임 28 주 신제품	제조업체 부품 번호 SIHP33N60E-E3 Mouser 부품 번호 78-SIHP33N60E-E3 신제품	Vishay Semiconductors	MOSFET N-CHANNEL 600V	데이터시트	비재고 리드 타임 28 주	₩4,171.2	최소: 1,000 배수: 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel