M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

결과: 8
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
데이터시트
912재고 상태
₩12,541.9
₩6,862.8
₩5,960.9
최소: 1
배수: 1
Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
데이터시트
274재고 상태
1,000예상 2027-09-07
₩9,117.5
₩5,975
₩4,396.7
₩3,903.5
₩3,466.6
최소: 1
배수: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
데이터시트
327재고 상태
₩10,216.7
₩5,862.3
₩4,904
₩4,551.7
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
데이터시트
445재고 상태
₩8,032.4
₩4,904
₩3,833
₩3,043.9
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
데이터시트
1,393예상 2026-12-04
₩9,103.4
₩5,960.9
₩4,382.6
₩3,903.5
₩3,466.6
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
데이터시트
600예상 2027-08-20
₩8,807.5
₩5,002.7
₩4,692.6
₩3,720.3
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
데이터시트
592예상 2027-08-20
₩6,961.4
₩4,594
₩3,255.3
₩2,621.1
₩2,508.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
₩9,977.1
₩6,679.6
₩5,369.1
₩4,763.1
₩4,227.6
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube