CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은.전력 전자 애플리케이션을 위한 고성능 솔루션을 제공합니다. 이 MOSFET은 뛰어난 전기적 특성을 보여주고 스위칭 손실이 매우 낮아 효율적인 작동을 가능하게 합니다. 1200V G2 MOSFET은 과부하 조건에 맞춰 설계되어 최대 200°C까지에서 작동을 지원하고 최대 2µs동안 단락을 견딜 수 있습니다. 이 소자는 4.2V 벤치마크 게이트 임계 전압 VGS(th)가 특징이며 정밀한 제어를 보장합니다. CoolSiC MOSFET 1200V G2는 1세대 기술의 강점을 기반으로 하는 세 가지 패키지로 제공되어 더욱 비용 최적화되고 효율적이며 컴팩트하고 설계하기 쉽고 안정적인 시스템을 위한 고급 솔루션을 제공합니다. 2세대는 하드/소프트 스위칭 토폴로지의 주요 성능 수치를 크게 개선하여 모든 일반적인 DC-DC, AC-DC 및 DC-AC 단계 조합에 이상적입니다.

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결과: 49
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Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 2재고 상태
3,750주문 중
컷 테이프
₩47,067.3
₩37,682
₩32,580.7
₩28,804
릴
₩28,804
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 176재고 상태
₩26,197
₩15,078.4
₩14,092
₩13,288.8
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 215재고 상태
₩18,826.9
₩10,470.4
₩9,723.5
₩8,666.6
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 172재고 상태
₩18,474.6
₩10,244.9
₩9,512.1
₩8,455.2
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology 5재고 상태
1,440주문 중
₩58,481.8
₩41,951.9
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 1,021재고 상태
3,000주문 중
컷 테이프
₩58,721.4
₩50,083
₩41,317.7
릴
₩41,317.7
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 1,381재고 상태
컷 테이프
₩28,141.7
₩17,840.5
₩16,656.7
릴
₩16,656.7
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 446재고 상태
컷 테이프
₩62,385.3
₩48,673.8
₩45,446.7
릴
₩45,446.7
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,002재고 상태
750주문 중
컷 테이프
₩20,644.8
₩11,964.1
₩11,738.6
릴
₩11,175
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,719재고 상태
750주문 중
컷 테이프
₩17,488.2
₩12,654.6
₩10,540.8
₩9,399.4
릴
₩8,779.3
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 699재고 상태
컷 테이프
₩16,262.2
₩9,103.4
₩8,765.2
₩8,187.5
릴
₩8,187.5
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 314재고 상태
750예상 2026-11-30
컷 테이프
₩13,655.1
₩7,511
₩6,975.5
₩6,510.5
릴
₩6,510.5
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 2,155재고 상태
컷 테이프
₩11,992.3
₩6,510.5
₩5,975
₩5,848.2
릴
₩5,481.8
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 662재고 상태
컷 테이프
₩34,384.5
₩23,040.4
₩21,518.5
릴
₩21,518.5
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 450재고 상태
컷 테이프
₩28,000.8
₩20,912.5
₩18,080
₩17,121.8
릴
₩15,994.4
최소: 1
배수: 1
: 750
SiC MOSFETS
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 228재고 상태
240예상 2026-11-30
₩40,331.3
₩32,284.8
₩27,916.3
₩26,436.6
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 267재고 상태
₩26,817.1
₩20,433.4
₩17,023.1
₩15,163
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 310재고 상태
₩22,279.5
₩16,966.8
₩14,134.3
₩12,598.2
₩10,695.8
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,563재고 상태
1,000주문 중
컷 테이프
₩54,451.5
₩44,432.1
₩39,260.3
₩39,034.8
릴
₩36,653.3
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,011재고 상태
컷 테이프
₩39,147.6
₩27,042.5
₩26,972.1
₩25,492.4
릴
₩23,787.3
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 4재고 상태
240예상 2027-02-11
₩18,150.5
₩13,528.3
₩11,273.6
₩10,033.5
₩9,385.3
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 207재고 상태
₩17,530.4
₩12,682.8
₩10,569
₩9,399.4
₩8,793.4
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 29재고 상태
3,120주문 중
₩14,585.2
₩7,919.7
₩7,313.7
₩7,299.7
₩7,116.5
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 240재고 상태
₩13,246.5
₩8,328.4
₩7,313.7
₩6,087.7
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 235재고 상태
컷 테이프
₩25,097.9
₩19,122.8
₩15,938.1
₩14,204.7
릴
₩13,260.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel