SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은.전력 전자 애플리케이션을 위한 고성능 솔루션을 제공합니다. 이 MOSFET은 뛰어난 전기적 특성을 보여주고 스위칭 손실이 매우 낮아 효율적인 작동을 가능하게 합니다. 1200V G2 MOSFET은 과부하 조건에 맞춰 설계되어 최대 200°C까지에서 작동을 지원하고 최대 2µs동안 단락을 견딜 수 있습니다. 이 소자는 4.2V 벤치마크 게이트 임계 전압 V_GS(th)가 특징이며 정밀한 제어를 보장합니다. CoolSiC MOSFET 1200V G2는 1세대 기술의 강점을 기반으로 하는 세 가지 패키지로 제공되어 더욱 비용 최적화되고 효율적이며 컴팩트하고 설계하기 쉽고 안정적인 시스템을 위한 고급 솔루션을 제공합니다. 2세대는 하드/소프트 스위칭 토폴로지의 주요 성능 수치를 크게 개선하여 모든 일반적인 DC-DC, AC-DC 및 DC-AC 단계 조합에 이상적입니다.

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결과: 45

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

채널 수

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최저 작동온도

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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신제품

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부품 번호

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩28,392
188재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMY120R018CM2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMY120R018CM2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

188재고 상태

₩28,392

₩16,598.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩20,420.4
215재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMY120R036AM2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMY120R036AM2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

215재고 상태

₩20,420.4

₩11,325.6

₩10,826.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩64,646.4
188재고 상태
960주문 중
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제조업체 부품 번호
IMZC120R007M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R007M2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

188재고 상태

960주문 중

₩64,646.4

₩48,063.6

₩45,848.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩20,030.4
172재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMY120R036CM2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMY120R036CM2HXK

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

172재고 상태

₩20,030.4

₩11,091.6

₩10,561.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩30,685.2
1,453재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R017M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R017M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,453재고 상태

컷 테이프

₩30,685.2

₩21,481.2

₩19,453.2

₩18,158.4

릴

₩18,158.4

최소: 1
배수: 1

: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩67,563.6
556재고 상태
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제조업체 부품 번호
IMSQ120R012M2HHXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMSQ120R012M2HHX

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Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

556재고 상태

컷 테이프

₩67,563.6

₩52,447.2

₩49,654.8

릴

₩49,654.8

최소: 1
배수: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩66,081.6
118재고 상태
5,250주문 중
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제조업체 부품 번호
IMCQ120R007M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R007M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

118재고 상태

5,250주문 중

컷 테이프

₩66,081.6

₩53,929.2

₩47,642.4

₩45,115.2

릴

₩45,115.2

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩50,668.8
573재고 상태
3,000예상 2026-11-26
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R010M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R010M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

573재고 상태

3,000예상 2026-11-26

컷 테이프

₩50,668.8

₩39,858

₩35,084.4

₩31,449.6

릴

₩31,449.6

최소: 1
배수: 1

: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩22,339.2
1,774재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R026M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R026M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,774재고 상태

컷 테이프

₩22,339.2

₩12,854.4

₩12,604.8

릴

₩12,168

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩18,782.4
1,111재고 상태
750주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R034M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R034M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,111재고 상태

750주문 중

컷 테이프

₩18,782.4

₩12,480

₩11,325.6

₩9,812.4

릴

₩9,547.2

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩17,581.2
951재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R040M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R040M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

951재고 상태

컷 테이프

₩17,581.2

₩9,812.4

₩9,422.4

₩8,907.6

릴

₩8,907.6

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩13,353.6
2,299재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R078M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R078M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

2,299재고 상태

컷 테이프

₩13,353.6

₩7,441.2

₩6,832.8

₩6,739.2

릴

₩5,943.6

견적

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩26,894.4
277재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMZA120R022M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZA120R022M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

277재고 상태

₩26,894.4

₩15,475.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩41,542.8
235재고 상태
960주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R012M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R012M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

235재고 상태

960주문 중

₩41,542.8

₩26,988

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩32,572.8
384재고 상태
720주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R017M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R017M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

384재고 상태

720주문 중

₩32,572.8

₩23,524.8

₩20,436

₩19,515.6

견적

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩28,906.8
1,335재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R022M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R022M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,335재고 상태

₩28,906.8

₩19,905.6

₩17,191.2

₩16,021.2

₩15,272.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩19,562.4
699재고 상태
240예상 2026-10-01
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R034M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R034M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

699재고 상태

240예상 2026-10-01

₩19,562.4

₩10,810.8

₩10,233.6

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩15,849.6
632재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R053M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R053M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

632재고 상태

₩15,849.6

₩8,564.4

₩7,909.2

₩7,768.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩56,799.6
740재고 상태
2,000주문 중

제조업체 부품 번호
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

740재고 상태

2,000주문 중

컷 테이프

₩56,799.6

₩42,244.8

₩42,229.2

₩40,014

릴

₩40,014

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩14,757.6
324재고 상태
750예상 2026-11-05
신제품

제조업체 부품 번호
IMCQ120R053M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMCQ120R053M2HXT

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

324재고 상태

750예상 2026-11-05

컷 테이프

₩14,757.6

₩8,096.4

₩7,488

₩7,066.8

릴

₩7,066.8

최소: 1
배수: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩37,252.8
692재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMSQ120R026M2HHXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMSQ120R026M2HHX

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

692재고 상태

컷 테이프

₩37,252.8

₩24,819.6

₩23,493.6

릴

₩23,493.6

최소: 1
배수: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: ₩29,515.2
540재고 상태
신제품

제조업체 부품 번호
IMSQ120R040M2HHXUMA1

Mouser 부품 번호
726-IMSQ120R040M2HHX

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

540재고 상태

컷 테이프

₩29,515.2

₩18,439.2

₩17,893.2

릴

₩17,206.8

최소: 1
배수: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩32,042.4
47재고 상태
480주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
IMZA120R017M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZA120R017M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

47재고 상태

480주문 중

₩32,042.4

₩21,606

₩19,266

₩18,860.4

최소: 1
배수: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: ₩24,024
86재고 상태
960주문 중
신제품

제조업체 부품 번호
IMZC120R026M2HXKSA1

Mouser 부품 번호
726-IMZC120R026M2HXK

신제품

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

86재고 상태

960주문 중

₩24,024

₩15,740.4

₩14,445.6

₩13,353.6

₩12,870

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩42,354
177재고 상태
2,000주문 중

제조업체 부품 번호
IMBG120R012M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

177재고 상태

2,000주문 중

컷 테이프

₩42,354

₩29,718

₩28,532.4

₩27,674.4

릴

₩25,584

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

고객 서비스 센터

회사

참고 자료

지원

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W