NXH010P120MNF1 SiC 모듈

onsemi  NXH010P120MNF1 SIC 모듈에는 F1 모듈에 10Mohm 1200V SIC MOSFET 하프 브리지 및 NTC 서미스터가 포함되어 있습니다. 이 모듈의 권장 게이트 전압은 18~20V 입니다. NXH010P120MNF1은 보다 높은 전압에서 향상된 RDS(ON)와 낮은 열 저항이 특징입니다.

결과: 4
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
시리즈
포장

onsemi MOSFET 모듈 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
데이터시트
23재고 상태
최소: 1
배수: 1
SiC NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET 모듈 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED + TIM)
데이터시트
1,148구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 28
배수: 28
SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET 모듈 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
데이터시트
28구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 1
배수: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 114 A 14 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 413 W NXH010P120MNF1 Tray
onsemi MOSFET 모듈 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
데이터시트
140구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 28
배수: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P120MNF1 Tray