CoolGaN™ 드라이브 HB 600V G5 스위치

Infineon Technologies CoolGaN™ 드라이브 HB 600V G5 스위치는 140mΩ, 270MΩ 또는 500MΩ의 온 저항 옵션과 함께 2개의 600V 강화 모드 CoolGaN 스위치를 갖춘 하프 브리지 전력단을 통합하고 있습니다. 이 스위치는 내장형 게이트 드라이버를 포함하고 소형 6mm×8mm TFLGA-27 패키지로 제공됩니다. 저/중전력 애플리케이션용으로 설계된이 스위치는 CoolGaN 기술의 우수한 스위칭 성능을 활용하는 고밀도 모터 드라이브 및 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)에 이상적입니다. Infineon의 CoolGaN 스위치는 “온” 상태에서 몇 밀리암페어의 연속 게이트 전류로 구동 시 최소 온 상태 저항을 보장하는 견고한 게이트 구조가 특징입니다.

결과: 4
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
Rds On - 드레인 소스 저항
최저 작동온도
최고 작동온도
상표명
기술
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Drive HB 600 V G5
데이터시트
2,388재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT TFLGA-27 - 40 C + 150 C CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
데이터시트
2,646재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
데이터시트
2,667재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN GaN
Infineon Technologies GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
데이터시트
2,345재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT TFLGA-27 170 mOhms - 40 C + 150 C CoolGaN GaN