DMT26M0LDG 비대칭 이중 N-채널 MOSFET

Diodes Inc. DMT26M0LDG 비대칭 이중 N 채널 MOSFET은 온 상태 저항[RDS(ON)을 최소화하면서도 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET의 드레인-소스 항복 전압(BVDSS)은25 V입니다. Q1의 정적 드레인 소스 온 저항 [RDS(ON)]은6 mΩ(VGS =10 V),7.5 mΩ(VGS =4.5 V) 또는 Q2는2 0 mΩ(VGS =10 V),3.1 mΩ(VGS =4.5 V)입니다. Q1의 연속 드레인 전류(ID) 정격은 VGS =10 V에서11.6 A VGS =4.5 V에서10.4 A 또는 Q2는 VGS =10 V에서20.1 A VGS =4.5 V에서16.1 A입니다 . 이러한 등급은 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적인 Diodes Inc. DMT26M0LDG 장치입니다.

결과: 2
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K 1,990재고 상태
컷 테이프
₩3,276
₩2,059.2
₩1,354.1
₩1,073.3
₩954.7
릴
₩870.5
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K 2,854재고 상태
컷 테이프
₩3,276
₩2,059.2
₩1,354.1
₩1,073.3
릴
₩856.4
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 25 V 11.6 A, 20.1 A 7.5 Ohms 12 V 2.2 V 7.1 nC, 15.9 nC - 55 C + 150 C 1.24 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel