DMT26M0LDG 비대칭 이중 N-채널 MOSFET
Diodes Inc. DMT26M0LDG 비대칭 이중 N 채널 MOSFET은 온 상태 저항[RDS(ON)을 최소화하면서도 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET의 드레인-소스 항복 전압(BVDSS)은25 V입니다. Q1의 정적 드레인 소스 온 저항 [RDS(ON)]은6 mΩ(VGS =10 V),7.5 mΩ(VGS =4.5 V) 또는 Q2는2 0 mΩ(VGS =10 V),3.1 mΩ(VGS =4.5 V)입니다. Q1의 연속 드레인 전류(ID) 정격은 VGS =10 V에서11.6 A VGS =4.5 V에서10.4 A 또는 Q2는 VGS =10 V에서20.1 A VGS =4.5 V에서16.1 A입니다 . 이러한 등급은 고효율 전력 관리 애플리케이션에 이상적인 Diodes Inc. DMT26M0LDG 장치입니다.
