π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

결과: 11
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
데이터시트
3,129재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 4.9 Ohms 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET TO252 900V 2A N-CH MOSFET
데이터시트
4,015재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2 A 5.9 Ohms 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
데이터시트
2,646재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
데이터시트
153재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
데이터시트
4재고 상태
125예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
데이터시트
250재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.5 A 4.6 Ohms 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
데이터시트
265재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 3.5 Ohms 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
데이터시트
158재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.35 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
데이터시트
170재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
데이터시트
98재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
데이터시트
5재고 상태
550주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1 Ohms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube