PowerGaN E-모드 G-HEMT™ 트랜지스터

STMicroelectronics PowerGaN E-모드 G-HEMT™ 트랜지스터는 고성능 향상 모드(일반적으로 오프) GaN 소자로, 까다로운 전력 변환 애플리케이션 전반에 걸쳐 매우 빠른 스위칭, 낮은 전도 손실 및 높은 전력 밀도를 제공하도록 설계되었습니다. 이 트랜지스터는 질화갈륨의 넓은 밴드갭 특성을 활용하여 극히 낮은 정전 용량, 최소한의 게이트 전하, 그리고 역회복 전하가 없는 특성을 구현하여 기존 실리콘 전력 스위치에 비해 탁월한 효율을 제공합니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 기술
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 310재고 상태
컷 테이프
₩14,035.6
₩7,736.5
₩7,229.2
₩5,904.5
릴
₩5,890.5
최소: 1
배수: 1
: 1,800
SMD/SMT TO-LL-11 700 V 26 A 70 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 880재고 상태
컷 테이프
₩9,159.8
₩4,847.6
₩4,424.9
₩4,100.8
릴
₩3,339.8
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 949재고 상태
컷 테이프
₩7,637.9
₩3,973.9
₩3,621.6
₩3,213
릴
₩2,621.1
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 21.7 A 105 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 4.8 nC - 55 C + 150 C 158 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor 900재고 상태
컷 테이프
₩6,101.8
₩3,114.3
₩2,832.5
₩2,381.5
릴
₩1,930.6
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 17 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor 985재고 상태
컷 테이프
₩5,679.1
₩2,888.9
₩2,621.1
₩2,156.1
릴
₩1,775.6
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 11.5 A 190 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 970재고 상태
컷 테이프
₩4,960.4
₩2,494.3
₩2,254.7
₩1,832
릴
₩1,507.8
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-8 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 521재고 상태
2,500예상 2026-11-12
컷 테이프
₩3,368
₩1,648.8
₩1,479.7
₩1,172.5
릴
₩973.8
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-3 700 V 6 A 350 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
2,500예상 2026-12-04
컷 테이프
₩4,044.4
₩2,001.1
₩1,803.8
₩1,451.5
릴
₩1,209.1
최소: 1
배수: 1
: 2,500
SMD/SMT DPAK-2 N-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement GaN
STMicroelectronics GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor 비재고 리드 타임 52 주
릴
₩7,722.4
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000
SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 65 mOhms + 6 V 1.8 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 305 W GaN-on-Si