HV-D3 mSiC® 전력 모듈

Microchip Technology의 HV-D3 mSiC® 전력 모듈은 AI 하이퍼스케일 데이터 센터 및 기타 고전압 전력 애플리케이션에서 SST(고체 변압기)의 도입을 간소화하고 가속화합니다. 이 고효율 전력 모듈은 업계 표준 62mm 패키지에 3.3kV SiC(실리콘 카바이드) mSiC MOSFET과 쇼트키 다이오드를 통합했습니다. 이 설계 구조는 중전압 그리드에서 서버 랙으로의 효율적인 전력 전달을 가능하게 합니다. HV-D3 모듈은 낮은 스위칭 손실, 강력한 열 성능 및 높은 전력 밀도를 제공하여 까다로운 애플리케이션에 적합합니다. Microchip Technology HV-D3 mSiC 전력 모듈의 일반적인 애플리케이션에는 전력 전송 및 배전, 산업용 전력, 데이터 센터, 해양 및 우주항공 EV(전기차) 인프라, 재생 에너지 시스템이 포함됩니다.

결과: 6
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
Microchip Technology MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-D3
데이터시트
2재고 상태
₩1,253,272.8
최소: 1
배수: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
데이터시트
3재고 상태
₩1,534,962
최소: 1
배수: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-D3
데이터시트
3재고 상태
₩787,924.8
최소: 1
배수: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW
Microchip Technology MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
데이터시트
2재고 상태
2예상 2026-11-06
₩1,534,962
최소: 1
배수: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-D3
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
₩1,253,272.8
최소: 1
배수: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 295 A 7.8 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.918 kW
Microchip Technology MOSFET 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-D3
데이터시트
재고 없음
₩923,520
최소: 1
배수: 1
SiC Screw Mount HV-D3 N-Channel 2 Channel 3.3 kV 151 A 15.5 mOhms 23 V 2.7 V - 40 C + 175 C 1.013 kW