TKx 실리콘 N-채널 MOSFET

Toshiba TKx 실리콘 N-채널 MOSFET은 U-MOSX-H 및 DTMOSVI 유형으로 제공되고 탁월한 성능 특성을 제공합니다. 이 MOSFET은 빠른 역회복 시간을 갖도록 설계되어, 턴오프 상태와 턴온 상태 사이의 지연 시간을 줄이고 고속 스위칭 애플리케이션의 효율을 향상시킵니다. 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(on)은 전력 손실을 최소화하고 열 관리를 개선하여, 낮은 에너지 소모로 높은 전류 처리가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 20
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 50재고 상태
₩6,087.7
₩3,988
₩2,973.4
₩2,494.3
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 2,000재고 상태
컷 테이프
₩10,639.5
₩5,707.3
₩5,228.1
₩5,002.7
₩4,833.6
릴
₩4,678.5
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ 1,961재고 상태
컷 테이프
₩6,707.8
₩3,452.5
₩3,142.5
₩2,705.7
₩2,691.6
릴
₩2,522.5
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ 53재고 상태
₩11,160.9
₩7,468.8
₩6,003.2
₩5,340.9
₩4,734.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET 1,960재고 상태
컷 테이프
₩8,314.3
₩5,439.5
₩4,002.1
₩3,565.3
₩3,156.6
릴
₩3,156.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 1,986재고 상태
컷 테이프
₩6,101.8
₩3,988
₩2,973.4
₩2,494.3
₩2,311.1
릴
₩2,170.2
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1,974재고 상태
컷 테이프
₩5,453.6
₩3,565.3
₩2,592.9
₩2,170.2
₩2,015.2
릴
₩1,888.3
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 750재고 상태
₩9,300.7
₩5,016.8
₩4,579.9
₩4,439
₩3,833
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 335재고 상태
₩7,919.7
₩4,129
₩4,114.9
₩3,649.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 294재고 상태
₩6,256.8
₩3,198.9
₩2,607
₩2,297
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH 85재고 상태
60예상 2026-12-02
₩14,486.6
₩7,835.2
₩7,229.2
₩7,031.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 131재고 상태
₩5,453.6
₩3,565.3
₩2,592.9
₩2,170.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 350재고 상태
₩6,186.4
₩3,170.7
₩2,860.7
₩2,339.3
₩2,282.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH 7재고 상태
150예상 2027-02-12
₩5,129.5
₩2,578.8
₩2,325.2
₩1,888.3
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 9재고 상태
100예상 2027-01-15
₩9,469.8
₩4,946.3
₩4,608.1
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ 20재고 상태
₩8,145.2
₩4,157.1
₩3,790.7
₩3,424.4
₩3,269.3
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 8재고 상태
₩12,161.4
₩6,609.1
₩6,059.6
₩5,650.9
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS 9재고 상태
₩13,472
₩9,385.3
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
150예상 2027-05-06
₩5,495.9
₩2,776.1
₩2,508.4
₩2,043.3
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ 비재고 리드 타임 16 주
릴
₩3,720.3
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel