IS20M8R0S1P

iDEAL Semiconductor
25-IS20M8R0S1P
IS20M8R0S1P

제조업체:

설명:
MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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iDEAL Semiconductor
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
200 V
128 A
8.3 mOhms
20 V
4.1 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
333 W
Enhancement
Tube
브랜드: iDEAL Semiconductor
구성: Single
하강 시간: 5.5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 37 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 5.9 ns
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 41.8 ns
표준 턴-온 지연 시간: 18.7 ns
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데이터시트

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규정 준수 코드
KRHTS:
8541299000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
미국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
미국
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low RDS(on) and QSW, resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

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재고:
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주문 중:
1,000
예상 2026-09-07
공장 리드 타임:
8
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단가:
₩-
합계:
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₩6,021.6 ₩60,216
₩4,430.4 ₩443,040
₩3,946.8 ₩1,973,400
₩3,478.8 ₩3,478,800
₩3,322.8 ₩8,307,000
₩3,166.8 ₩15,834,000

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