SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
UF3C065040K4S
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431-UF3C065040K4S
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SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
54 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
UF3C170400B7S
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431-UF3C170400B7S
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SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
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SMD/SMT
D2PAK-7
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1.7 kV
7.6 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23.1 nC
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+ 175 C
100 W
Enhancement
SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220
UF3C065080T3S
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431-UF3C065080T3S
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SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220
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Through Hole
TO-220-3
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
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+ 175 C
190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
UF3C120150B7S
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431-UF3C120150B7S
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SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
17 A
150 mOhms
- 25 V, + 25 V
4.4 V
25.7 nC
- 55 C
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Enhancement
SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
UF3C065080K3S
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SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
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6 V
51 nC
- 55 C
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190 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
UF3C065080K4S
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SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
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AEC-Q101
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SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
UF3C120080K3S
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SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
33 A
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6 V
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Enhancement
AEC-Q101
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SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26
UF3C120080B7S
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SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
28.8 A
85 mOhms
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190 W
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SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
UF3C065030T3S
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431-UF3C065030T3S
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SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3
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Through Hole
TO-220-3
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
5 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
UF3C065040K3S
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431-UF3C065040K3S
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SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
54 A
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- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
UF3C120040K3S
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431-UF3C120040K3S
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SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
65 A
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- 25 V, + 25 V
4 V
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429 W
Enhancement
SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
UF3C065080B3
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431-UF3C065080B3
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SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
1 Channel
650 V
25 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
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+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
UF3C120040K4S
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431-UF3C120040K4S
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SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
619 재고 상태
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
65 A
45 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
429 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
UF3C120400B7S
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431-UF3C120400B7S
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SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
588 재고 상태
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800
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
5.9 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
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+ 175 C
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Enhancement
SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
UF3C065030K4S
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431-UF3C065030K4S
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SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1,041 재고 상태
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
85 A
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- 25 V, + 25 V
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Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
UF3C120080K4S
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NRND
Mouser 부품 번호
431-UF3C120080K4S
NRND
onsemi
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
641 재고 상태
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
33 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
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+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
UF3C120150K4S
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Mouser 부품 번호
431-UF3C120150K4S
NRND
onsemi
SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
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Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
18.4 A
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- 25 V, + 25 V
3.5 V
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+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
UF3C065030K3S
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431-UF3C065030K3S
onsemi
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247
62 재고 상태
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세부 정보
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO2
UF3C170400K3S
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166 재고 상태
600 예상 2026-12-18
Mouser 부품 번호
431-UF3C170400K3S
onsemi
SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO2
166 재고 상태
600 예상 2026-12-18
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.7 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
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- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
UF3C065040T3S
onsemi
1:
₩28,747.7
1,000 예상 2026-11-10
Mouser 부품 번호
431-UF3C065040T3S
onsemi
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1,000 예상 2026-11-10
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배수: 1
세부 정보
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
650 V
54 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
UF3C120400K3S
onsemi
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Mouser 부품 번호
431-UF3C120400K3S
onsemi
SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300 예상 2027-01-15
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배수: 1
세부 정보
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
UF3C065080B7S
onsemi
1:
₩18,996
비재고 리드 타임 21 주
Mouser 부품 번호
431-UF3C065080B7S
onsemi
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
비재고 리드 타임 21 주
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배수: 1
릴 :
800
세부 정보
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
650 V
27 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
136.4 W
Enhancement
SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
UF3C065030B3
onsemi
1:
₩35,610.5
비재고 리드 타임 52 주
수명 종료
Mouser 부품 번호
431-UF3C065030B3
수명 종료
onsemi
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3
비재고 리드 타임 52 주
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릴 :
800
세부 정보
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
1 Channel
650 V
65 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 25 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET