UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3,278재고 상태
₩27,902.2
₩16,459.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 26재고 상태
2,400주문 중
컷 테이프
₩16,417.2
₩11,597.7
₩8,610.2
₩8,328.4
릴
₩8,032.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220 475재고 상태
₩16,896.3
₩9,737.6
₩9,004.8
₩8,272
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2 343재고 상태
컷 테이프
₩17,995.5
₩10,329.4
₩9,512.1
₩9,004.8
릴
₩9,004.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 626재고 상태
₩17,671.4
₩9,934.9
₩9,216.2
₩8,694.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583재고 상태
₩18,178.7
₩10,202.6
₩9,469.8
₩8,976.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24 1,142재고 상태
₩29,818.7
₩17,925
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26 618재고 상태
컷 테이프
₩27,098.9
₩16,995
₩15,867.6
릴
₩15,867.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 892재고 상태
₩36,160.1
₩22,927.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247 1,166재고 상태
₩27,493.5
₩16,163.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 202재고 상태
₩41,402.3
₩30,903.8
₩30,791
₩27,225.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1,241재고 상태
컷 테이프
₩16,600.4
₩9,568.5
₩8,694.8
₩8,229.7
릴
₩8,229.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 619재고 상태
₩41,585.5
₩27,211.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 588재고 상태
800예상 2027-01-08
컷 테이프
₩13,035.1
₩7,144.6
₩6,566.9
₩6,200.5
릴
₩6,200.5
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4 1,041재고 상태
₩36,681.5
₩23,350.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 641재고 상태
₩29,846.9
₩17,953.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 63재고 상태
₩19,672.4
₩10,991.8
₩10,484.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247 62재고 상태
₩38,062.5
₩23,068.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO2 166재고 상태
600예상 2026-12-18
₩16,684.9
₩9,413.5
₩8,708.9
₩8,145.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1,000예상 2026-11-10
₩28,747.7
₩17,220.4
₩16,205.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300예상 2027-01-15
₩16,360.8
₩11,160.9
₩9,300.7
₩8,286.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 비재고 리드 타임 21 주
컷 테이프
₩18,996
₩11,034
₩10,287.2
₩9,737.6
릴
₩9,737.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 비재고 리드 타임 52 주
컷 테이프
₩35,610.5
₩24,083.2
릴
₩24,083.2
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET