범용 애플리케이션용 MOSFET

Infineon Technologies 범용 MOSFET는 폭넓은 가용성과 확립된 품질을 제공하는 단순하고 가격 경쟁적인 솔루션을 제공합니다. 이 포트폴리오는 최대 100V의 전압 등급을 포괄 합니다. 소형 전력 처리(단일 및 이중 N-채널 및 P-채널 MOSFET)를 위한 단일 및 이중 N-채널 MOSFET 및 제품을 포함합니다. 선택된 부품은 SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6 및 TO220를 포함한 광범위한 패키지로 제공됩니다.이 제품은 어댑터, 충전기, 배터리 전원 공급식 애플리케이션, 모터 제어 및 드라이브, 배터리 관리 시스템, 인버터, 컴퓨팅 및 모바일 애플리케이션과 같은 광범위한 범용 애플리케이션을 처리합니다.

결과: 19
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2,483재고 상태
₩6,910.8
₩3,276
₩2,761.2
₩2,558.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1,795재고 상태
₩4,461.6
₩2,262
₩2,012.4
₩1,684.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 8,698재고 상태
₩4,196.4
₩2,059.2
₩1,856.4
₩1,480.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 943재고 상태
1,000예상 2026-12-03
₩4,102.8
₩2,542.8
₩2,277.6
₩1,856.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,988재고 상태
₩6,489.6
₩3,307.2
₩2,995.2
₩2,433.6
₩2,355.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,395재고 상태
₩5,085.6
₩2,542.8
₩2,293.2
₩1,856.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 4,900재고 상태
₩6,037.2
₩3,057.6
₩2,605.2
₩2,308.8
₩2,106
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2,725재고 상태
9,000주문 중
₩5,304
₩2,652
₩2,402.4
₩1,950
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,338재고 상태
₩7,066.8
₩3,868.8
₩3,510
₩2,901.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 6,337재고 상태
₩4,508.4
₩2,230.8
₩2,012.4
₩1,622.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 3,917재고 상태
₩3,588
₩1,747.2
₩1,555.3
₩1,238.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 379재고 상태
1,000예상 2027-03-04
₩5,600.4
₩2,823.6
₩2,636.4
₩2,074.8
₩1,918.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 841재고 상태
1,000예상 2026-11-02
₩3,681.6
₩1,887.6
₩1,507
₩1,324.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 911재고 상태
₩3,541.2
₩1,716
₩1,533.5
₩1,221.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 544재고 상태
₩4,539.6
₩2,246.4
₩2,028
₩1,669.2
₩1,450.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1,551재고 상태
₩6,505.2
₩3,307.2
₩2,932.8
₩2,464.8
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 835재고 상태
1,000예상 2026-12-24
₩3,510
₩1,700.4
₩1,517.9
₩1,260.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 23재고 상태
2,000예상 2026-11-19
₩3,026.4
₩1,444.6
₩1,268.3
₩1,006.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1,990재고 상태
₩6,926.4
₩3,541.2
₩3,213.6
₩2,636.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube