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AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 842재고 상태
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 10,862재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 6,219재고 상태
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24 440재고 상태
960예상 2026-12-21
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 8,912재고 상태
9,600예상 2026-12-21
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3,233재고 상태
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 2,746재고 상태
2,880예상 2027-01-21
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 238재고 상태
최소: 1
배수: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 19재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
23,660예상 2026-12-21
최소: 1
배수: 1
: 3,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
14,300예상 2026-09-21
최소: 1
배수: 1

AP Memory APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM 공장 직송
최소: 30,000
배수: 30,000
: 30,000

AP Memory LabServiceFee
AP Memory 보정, 보증 및 서비스 계획 Lab Service Fee for NXP Boards 공장 직송
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8 비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000