모든 결과 (54)

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선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
데이터시트
844재고 상태
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
데이터시트
426재고 상태
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
데이터시트
2,623재고 상태
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ext. Temp., BGA24
데이터시트
475재고 상태
4,320예상 2026-12-04
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
데이터시트
4,548재고 상태
9,600주문 중
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed
데이터시트
3,665재고 상태
최소: 1
배수: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
데이터시트
24재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
데이터시트
11,660예상 2026-12-02
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
14,400예상 2026-07-21
최소: 1
배수: 1

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
6,449주문 중
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
데이터시트
4,270예상 2026-12-04
최소: 1
배수: 1

AP Memory APS6404L-SQHXRQ
AP Memory DRAM
데이터시트
직송 리드 타임 8 주
최소: 30,000
배수: 30,000
: 30,000

AP Memory LabServiceFee
AP Memory 보정, 보증 및 서비스 계획 Lab Service Fee for NXP Boards 공장 직송
최소: 1
배수: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
데이터시트
리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000