|
|
DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
- A3T4GF30BBF-HPI
- Zentel Japan
-
2,420:
₩48,672
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF30BBF-HPI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
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DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
- A3T4GF30BBF-JR
- Zentel Japan
-
2,420:
₩35,068.8
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF30BBF-JR
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
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|
|
DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
- A3T4GF30BBF-JRI
- Zentel Japan
-
2,420:
₩48,672
-
비재고 리드 타임 28 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF30BBF-JRI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
|
|
|
DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
- A3T4GF30BBF-JRL
- Zentel Japan
-
2,420:
₩36,566.4
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF30BBF-JRL
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,420
배수: 2,420
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
- IS34ML04G084-TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩30,248.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-34ML04G084TLITR
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R
- IS34MW04G084-TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩31,636.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-34MW04G084TLITR
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 4bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade
- IS35ML04G088-BLA2-TR
- ISSI
-
1,500:
₩36,316.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-35ML04G088BLA2TR
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R, , AutoGrade
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
- IS43QR85120B-083RBL-TR
- ISSI
-
2,000:
₩46,722
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43QR85120B3RB-TR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
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|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
- IS43QR85120B-083RBL
- ISSI
-
136:
₩51,058.8
-
비재고 리드 타임 54 주
|
Mouser 부품 번호
870-43QR85120B3RBL
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 54 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
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|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
- IS43QR85120B-083RBLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩54,475.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43QR8512B3RBLITR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
- IS43TR85120B-125KBLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩37,174.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T85120B125KBIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
- IS43TR85120B-125KBL
- ISSI
-
242:
₩33,789.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T85120B125KBL
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 242
배수: 242
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
- IS43TR85120B-125KBL-TR
- ISSI
-
2,000:
₩33,805.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T85120B125KBLT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
- IS43TR85120BL-125KBLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩37,174.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T85120BL15KBIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4G 3V x8 1-bit NAND 플래시
- IS34ML04G081-TLI
- ISSI
-
1:
₩43,836
-
리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS34ML04G081-TLI
|
ISSI
|
NAND 플래시 4G 3V x8 1-bit NAND 플래시
|
|
리드 타임 52 주
|
|
|
₩43,836
|
|
|
₩40,996.8
|
|
|
₩40,107.6
|
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|
₩38,344.8
|
|
최소: 1
배수: 1
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|
NAND 플래시 4G 3.3V x8 NAND 플래시 Q100
- IS34ML04G081-TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩30,248.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS34ML04G081TLIR
|
ISSI
|
NAND 플래시 4G 3.3V x8 NAND 플래시 Q100
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
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|
|
|
NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
- IS34ML04G088-BLI
- ISSI
-
1:
₩45,084
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS34ML04G088-BLI
|
ISSI
|
NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,63-ball VFBGA 9x11x1.0mm
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
|
₩45,084
|
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₩41,745.6
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|
₩40,419.6
|
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|
₩39,436.8
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|
최소: 1
배수: 1
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|
NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
- IS34ML04G088-TLI
- ISSI
-
1:
₩42,634.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS34ML04G088-TLI
|
ISSI
|
NAND 플래시 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
|
₩42,634.8
|
|
|
₩39,483.6
|
|
|
₩38,235.6
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|
₩37,299.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
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|
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade
- IS35ML04G088-BLA2
- ISSI
-
1:
₩51,246
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS35ML04G088BLA2
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
|
₩51,246
|
|
|
₩47,455.2
|
|
|
₩45,957.6
|
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|
₩36,660
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최소: 1
배수: 1
|
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|
|
NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT
- IS37SML04G8B-JJLI
- ISSI
-
1:
₩42,712.8
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-IS37SML04G8BJJLI
신제품
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
|
₩42,712.8
|
|
|
₩39,546
|
|
|
₩38,298
|
|
|
₩37,362
|
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보기
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|
₩36,020.4
|
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|
₩35,115.6
|
|
최소: 1
배수: 1
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|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tray
- AS4C512M8D3LC-12BCN
- Alliance Memory
-
242:
₩83,881.2
-
비재고 리드 타임 30 주
|
Mouser 부품 번호
913-4C512M8D3L12BCN
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tray
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 242
배수: 242
|
|
|
|
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tray
- AS4C512M8D3LC-10BAN
- Alliance Memory
-
242:
₩100,776
-
비재고 리드 타임 30 주
|
Mouser 부품 번호
913-4C512M8D3LC10BAN
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tray
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 242
배수: 242
|
|
|
|
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel
- AS4C512M8D3LC-12BCNTR
- Alliance Memory
-
2,500:
₩73,725.6
-
비재고 리드 타임 30 주
|
Mouser 부품 번호
913-512M8D3L12BCNTR
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Commercial Temp - Tape & Reel
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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|
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel
- AS4C512M8D3LC-12BINTR
- Alliance Memory
-
2,500:
₩87,110.4
-
비재고 리드 타임 30 주
|
Mouser 부품 번호
913-512M8D3L12BINTR
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 78-Ball FBGA, 800 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
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|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tape & Reel
- AS4C512M8D3LC-10BANTR
- Alliance Memory
-
2,500:
₩102,882
-
비재고 리드 타임 30 주
|
Mouser 부품 번호
913-512M8D3LC10BANTR
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 4G, 512M x 8, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Automotive Temp - Tape & Reel
|
|
비재고 리드 타임 30 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
대한민국
