8 bit 2 Gbit 반도체

반도체의 유형

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ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T& R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500


ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242


ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, AUTOMOTIVE temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 256M x 8, 1.8v, 60-ball BGA, 400MHz, (A-die) Commercial Temp - Tray 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, COMMERCIAL temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tray 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, INDUSTRIAL temp - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Alliance Memory AS4C256M8D2A-25BCNTR
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 256M x 8, 1.8v, 60-ball BGA, 400MHz, (A-die) Commercial Temp 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Alliance Memory AS5F32G04SNDB-08LIN
Alliance Memory NAND 플래시 SPI SLC NAND 플래시, 2Gb, 3V, 120Mhz, Multiple IO, 4bit ECC, Industrial, 8pin LGA (8x6), revB 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1