8 bit 2 Gbit 반도체

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Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 28 주
최소: 2,420
배수: 2,420

Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,420
배수: 2,420


ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 242
배수: 242

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000


ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

ISSI NOR 플래시 2Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, T&R, new die 비재고 리드 타임 30 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NAND 플래시 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1