8 bit 1 Mbit 반도체

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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 480

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 - +105C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 480

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 - +105C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,140
배수: 570

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000