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Infineon Technologies S70GL02GT12FHBV20
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 360
배수: 360

Infineon Technologies S29GL512T10FAI010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
없음
Infineon Technologies S29GL512T10FAI020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,800
배수: 1,800
없음
Infineon Technologies S29GL512T10FAI013
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
Infineon Technologies S29GL512T10FAI023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV10
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1
없음
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV20
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,800
배수: 1,800
없음
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV13
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV23
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600
없음
ISSI NOR 플래시 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected, Uniform Sector 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI NOR 플래시 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected, Uniform Sector 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NOR 플래시 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

ISSI NOR 플래시 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI NOR 플래시 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500