|
|
DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray
- AS4C256M16D3LC-10BIN
- Alliance Memory
-
1:
₩118,185.6
-
415예상 2026-09-21
|
Mouser 부품 번호
913-4C256M16D3L10BIN
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray
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|
415예상 2026-09-21
|
|
|
₩118,185.6
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₩109,090.8
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₩105,534
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₩102,866.4
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₩99,106.8
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최소: 1
배수: 1
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DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
- AS4C256M16D3LC-12BAN
- Alliance Memory
-
1:
₩141,445.2
-
645주문 중
|
Mouser 부품 번호
913-AS4C256M1612BAN
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
|
|
645주문 중
주문 중:
227 예상 2026-11-20
418 예상 2027-01-21
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|
₩141,445.2
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₩130,540.8
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₩126,282
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₩123,099.6
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|
₩118,606.8
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|
최소: 1
배수: 1
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|
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
- IS43TR16256BL-107MBL
- ISSI
-
1:
₩46,378.8
-
570주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-43T16256BL107MBL
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
|
|
570주문 중
|
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|
₩46,378.8
|
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₩42,946.8
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₩41,589.6
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₩40,560
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₩39,218.4
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최소: 1
배수: 1
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|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
- IS46TR16256BL-125KBLA1
- ISSI
-
1:
₩53,539.2
-
179주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-46T16256BL12KBA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
|
|
179주문 중
|
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|
₩53,539.2
|
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₩49,576.8
|
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₩48,016.8
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|
|
₩46,831.2
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|
|
₩45,162
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최소: 1
배수: 1
|
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|
|
DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
- IM4G16L4JCBG-046I
- Intelligent Memory
-
1:
₩46,924.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
822-IM4G16L4JCBG046I
|
Intelligent Memory
|
DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
- A3T4GF40BBF-HP
- Zentel Japan
-
2,090:
₩35,068.8
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF40BBF-HP
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
|
|
DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
- A3T4GF40BBF-HPI
- Zentel Japan
-
2,090:
₩48,672
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF40BBF-HPI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
|
|
DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
- A3T4GF40BBF-JR
- Zentel Japan
-
2,090:
₩35,068.8
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF40BBF-JR
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
|
|
DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
- A3T4GF40BBF-JRI
- Zentel Japan
-
2,090:
₩48,672
-
비재고 리드 타임 28 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF40BBF-JRI
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
|
|
DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
- A3T4GF40BBF-JRL
- Zentel Japan
-
2,090:
₩36,566.4
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3T4GF40BBF-JRL
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 2,090
배수: 2,090
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
- IS43QR16256B-083RBL-TR
- ISSI
-
2,500:
₩50,856
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16256B-083RBL-TR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
- IS43QR16256B-083RBLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩55,957.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16256B083RBLI-TR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade
- IS35ML04G168-BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩39,873.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-35ML04G168BLA2TR
|
ISSI
|
NAND 플래시 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R, AutoGrade
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS43LQ16256AL-062BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩60,637.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43L256AL2BLITR
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
- IS43LQ16256AL-062BLI
- ISSI
-
136:
₩62,041.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43L6256A-062BLI
|
ISSI
|
DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
- IS43TR16256B-107MBLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩36,285.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T16256B107MBIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
- IS43TR16256B-125KBLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩36,285.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T16256B125KBIT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
- IS43TR16256BL-107MBL-TR
- ISSI
-
1:
₩46,581.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T16256BL107MBT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
|
₩46,581.6
|
|
|
₩43,134
|
|
|
₩41,776.8
|
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|
₩40,747.2
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보기
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|
₩33,009.6
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₩39,296.4
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₩38,298
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|
₩38,282.4
|
|
|
₩33,009.6
|
|
|
₩33,009.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
- IS43TR16256BL-125KBL-TR
- ISSI
-
1,500:
₩33,009.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-43T16256BL125KBT
|
ISSI
|
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
- IS46LQ16256AL-062BLA1
- ISSI
-
136:
₩65,145.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L256A062BLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
- IS46LQ16256AL-062BLA2
- ISSI
-
136:
₩68,078.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L256A062BLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS46LQ16256AL-062BLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩63,663.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L256AL2BLA1TR
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
- IS46LQ16256AL-062BLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩68,234.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-46L256AL2BLA2TR
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
- IS46QR16256B-083RBLA1
- ISSI
-
1:
₩78,374.4
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-46QR16256B3RBLA1
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
|
₩78,374.4
|
|
|
₩72,368.4
|
|
|
₩70,012.8
|
|
|
₩68,250
|
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|
₩58,063.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
- IS46QR16256B-083RBLA1-TR
- ISSI
-
2,500:
₩58,203.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-46QR256B3RBLA1TR
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
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최소: 2,500
배수: 2,500
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2,500
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