16 bit 256 Mbit 반도체

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Infineon Technologies S29GL256S10GHB013
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,700
배수: 2,700
: 2,700

Infineon Technologies S29GL256S10GHIV20
Infineon Technologies NOR 플래시 PNOR 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

Infineon Technologies S29GL256S11DHB010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

Infineon Technologies S29GL256S90DHA013
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,200
배수: 2,200
: 2,200

Infineon Technologies S29GL256S90DHA020
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 256 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

Infineon Technologies S29GL256S90FHA020
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,800
배수: 1,800

Infineon Technologies S29GL256S90FHA023
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1,600
배수: 1,600
: 1,600

Infineon Technologies S29GL256S90DHA010
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 19 주
최소: 2,600
배수: 2,600

ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V N/A
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A), TAPE & REEL 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 52 주
최소: 348
배수: 348

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 300
배수: 300