16 bit 16 Mbit 반도체

반도체의 유형

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Microchip Technology NOR 플래시 16M (1Mx16) 70ns Industrial Temp 비재고 리드 타임 11 주
최소: 480
배수: 480

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 1Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Microchip Technology NOR 플래시 16M (1Mx16) 70ns 2.7-3.6V Commercial 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology NOR 플래시 1M X 16 70ns 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

Microchip Technology NOR 플래시 1M X 16 70ns 비재고 리드 타임 12 주
최소: 288
배수: 96

Microchip Technology NOR 플래시 16M (1Mx16) 70ns 2.7-3.6V Industrial 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

Microchip Technology NOR 플래시 16M (1Mx16) 70ns 2.7-3.6V Industrial 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology NOR 플래시 2.7V to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 38 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology NOR 플래시 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash 비재고 리드 타임 37 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Microchip Technology NOR 플래시 16M (1Mx16) 70ns Industrial Temp 비재고 리드 타임 37 주
최소: 480
배수: 480

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 16Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 16Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 16Mbit x16 I/O BGA-48 Bottom Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 16Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 16Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Macronix NOR 플래시 Parallel NOR 3V 16Mbit x16 I/O BGA-48 Top Boot 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
ISSI DRAM 16M, EDO DRAM, Async, 1Mx16, 50ns, 44(50) pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

ISSI DRAM 16M, Fast Page Mode DRAM, Async, 1Mx16, 50ns, 44(50) pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500