16 bit Parallel 반도체

선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 240

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 480
배수: 240

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 108

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 108

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000