|
|
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
- UG3SC120009K4S
- onsemi
-
1:
₩107,530.8
-
592재고 상태
|
Mouser 부품 번호
431-UG3SC120009K4S
|
onsemi
|
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
|
|
592재고 상태
|
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|
₩107,530.8
|
|
|
₩86,689.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
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|
MOSFET 모듈 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩1,106,554.8
-
4재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-BSM180C12P2E202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 모듈 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4재고 상태
|
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|
₩1,106,554.8
|
|
|
₩1,069,707.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
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|
MOSFET 모듈 MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
- MSC017SMA120S
- Microchip Technology
-
1:
₩74,287.2
-
160재고 상태
|
Mouser 부품 번호
579-MSC017SMA120S
|
Microchip Technology
|
MOSFET 모듈 MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
|
|
160재고 상태
|
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|
₩74,287.2
|
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|
₩64,474.8
|
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₩59,124
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₩58,905.6
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|
보기
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₩58,266
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견적
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최소: 1
배수: 1
|
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|
디스크리트 반도체 모듈 SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
- GCMS080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
₩46,020
-
549재고 상태
|
Mouser 부품 번호
148-GCMS080B120S1-E1
|
SemiQ
|
디스크리트 반도체 모듈 SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
|
|
549재고 상태
|
|
|
₩46,020
|
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|
₩33,930
|
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|
₩30,420
|
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|
₩29,468.4
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견적
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견적
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최소: 1
배수: 1
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|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- AFGHL50T65SQDC
- onsemi
-
1:
₩19,281.6
-
834재고 상태
|
Mouser 부품 번호
863-AFGHL50T65SQDC
|
onsemi
|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
|
|
834재고 상태
|
|
|
₩19,281.6
|
|
|
₩11,559.6
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|
₩10,171.2
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|
최소: 1
배수: 1
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|
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
- AFGHL75T65SQDC
- onsemi
-
1:
₩18,766.8
-
417재고 상태
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
863-AFGHL75T65SQDC
NRND
|
onsemi
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
|
|
417재고 상태
|
|
|
₩18,766.8
|
|
|
₩11,232
|
|
|
₩9,672
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
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|
|
MOSFET 모듈 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
₩44,928
-
33재고 상태
|
Mouser 부품 번호
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFET 모듈 MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
33재고 상태
|
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|
₩44,928
|
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₩39,140.4
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₩37,190.4
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₩33,867.6
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견적
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견적
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|
최소: 1
배수: 1
|
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|
디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
₩58,593.6
-
18재고 상태
|
Mouser 부품 번호
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
|
디스크리트 반도체 모듈 PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
18재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
₩1,137,286.8
-
4재고 상태
|
Mouser 부품 번호
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 모듈 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4재고 상태
|
|
|
₩1,137,286.8
|
|
|
₩1,115,166
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
₩207,667.2
-
37재고 상태
-
100예상 2027-01-14
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
772-QPD1004ASR
신제품
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1004
|
|
37재고 상태
100예상 2027-01-14
|
|
|
₩207,667.2
|
|
|
₩207,667.2
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
₩101,696.4
-
90재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
772-QPD1011ASR
신제품
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1011
|
|
90재고 상태
|
|
|
₩101,696.4
|
|
|
₩84,099.6
|
|
|
₩79,700.4
|
|
|
₩79,700.4
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
₩123,224.4
-
90재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
772-QPD1014ASR
신제품
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1014
|
|
90재고 상태
|
|
|
₩123,224.4
|
|
|
₩102,460.8
|
|
|
₩97,890
|
|
|
₩97,890
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 25
:
100
|
|
|
|
|
IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SOT227
Microchip Technology APT100GT120JU3
- APT100GT120JU3
- Microchip Technology
-
1:
₩55,255.2
-
23재고 상태
|
Mouser 부품 번호
494-APT100GT120JU3
|
Microchip Technology
|
IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SOT227
|
|
23재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG25N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,722
-
882재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-AIGBG25N120S7ATM
신제품
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
882재고 상태
|
|
|
₩7,722
|
|
|
₩5,054.4
|
|
|
₩3,775.2
|
|
|
₩3,151.2
|
|
|
₩2,932.8
|
|
|
₩2,745.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
IGBT FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
- AFGBG70T65SQDC
- onsemi
-
1:
₩15,662.4
-
720재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-AFGBG70T65SQDC
신제품
|
onsemi
|
IGBT FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
|
|
720재고 상태
|
|
|
₩15,662.4
|
|
|
₩10,764
|
|
|
₩10,764
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 72
:
800
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG15N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩6,162
-
473재고 상태
-
2,000주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-AIGBG15N120S7ATM
신제품
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
473재고 상태
2,000주문 중
|
|
|
₩6,162
|
|
|
₩4,040.4
|
|
|
₩2,823.6
|
|
|
₩2,355.6
|
|
|
₩2,340
|
|
|
₩2,215.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R011M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
₩29,764.8
-
1,670재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMT44R011M2HXTMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,670재고 상태
|
|
|
₩29,764.8
|
|
|
₩18,626.4
|
|
|
₩18,080.4
|
|
|
₩17,394
|
|
최소: 1
배수: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
JFET UF3N120007K4S
- UF3N120007K4S
- onsemi
-
1:
₩100,198.8
-
1,089재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
772-UF3N120007K4S
신제품
|
onsemi
|
JFET UF3N120007K4S
|
|
1,089재고 상태
|
|
|
₩100,198.8
|
|
|
₩80,683.2
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 112
|
|
|
|
|
JFET UG4SC075005L8S
- UG4SC075005L8S
- onsemi
-
1:
₩86,143.2
-
967재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
772-UG4SC075005L8S
신제품
|
onsemi
|
JFET UG4SC075005L8S
|
|
967재고 상태
|
|
|
₩86,143.2
|
|
|
₩71,760
|
|
|
₩62,244
|
|
|
₩62,244
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 108
:
2,000
|
|
|
|
|
JFET UJ4N075004L8S
- UJ4N075004L8S
- onsemi
-
1:
₩72,430.8
-
1,714재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
772-UJ4N075004L8S
신제품
|
onsemi
|
JFET UJ4N075004L8S
|
|
1,714재고 상태
|
|
|
₩72,430.8
|
|
|
₩57,174
|
|
|
₩53,742
|
|
|
₩53,742
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 191
:
2,000
|
|
|
|
|
MOSFET 모듈 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF150SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩116,766
-
292재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-VS-SF150SA120
신제품
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET 모듈 MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
292재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
디스크리트 반도체 모듈 HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
- FF06MR12A04MA2AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩208,852.8
-
82재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-FF06MR12A04MA2AK
신제품
|
Infineon Technologies
|
디스크리트 반도체 모듈 HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
|
|
82재고 상태
|
|
|
₩208,852.8
|
|
|
₩195,249.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩31,371.6
-
375재고 상태
-
240예상 2026-11-05
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IDWD25G200C5XKSA
신제품
|
Infineon Technologies
|
쇼트키 다이오드 및 정류기 SIC DISCRETE
|
|
375재고 상태
240예상 2026-11-05
|
|
|
₩31,371.6
|
|
|
₩21,356.4
|
|
|
₩19,968
|
|
|
₩18,158.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩28,236
-
397재고 상태
-
1,800예상 2026-10-15
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMLT40R011M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
397재고 상태
1,800예상 2026-10-15
|
|
|
₩28,236
|
|
|
₩16,520.4
|
|
|
₩16,473.6
|
|
|
₩16,473.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R015M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩21,871.2
-
1,758재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMLT40R015M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,758재고 상태
|
|
|
₩21,871.2
|
|
|
₩12,511.2
|
|
|
₩11,840.4
|
|
|
₩11,840.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
