Non-Inverting 반도체

반도체의 유형

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MACOM 게이트 드라이버 +/-5 VDC Rise 500ns Current out +/-50 mA
비재고 리드 타임 12 주
최소: 495
배수: 165

Microchip Technology 게이트 드라이버 16 SOIC .300in T/R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Microchip Technology 게이트 드라이버 3A Dual 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Microchip Technology 게이트 드라이버 1.5A Dual MOSFET Dr NonInvert Etemp DFN8 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

Texas Instruments 게이트 드라이버 5A 100V Half-Bridge Gate Driver A 595-LM A 595-LMG1205YFXR 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,500
배수: 4,500
: 4,500

STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,560
배수: 1,560

STMicroelectronics 게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,560
배수: 1,560


Diodes Incorporated 게이트 드라이버 9A Gate Driver Mosfet 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Microchip Technology 게이트 드라이버 #N/A 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology 게이트 드라이버 Dual 3.0A, Both ChA & ChB are non-inverted output 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology 게이트 드라이버 Dual 4.5A, Both ChA & ChB are non-inverted output 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology 게이트 드라이버 Tiny 1.5 AMP Mosfet Driver 비재고 리드 타임 34 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Microchip Technology 게이트 드라이버 3.0A Single Non-Inv MOSFET Driver with enable pin, WDFN 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Microchip Technology 게이트 드라이버 3.0A Matched, High -speed, Low-side Non-Inv MOSFET Drvr 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

Microchip Technology 게이트 드라이버 4.5A Dual Non-Inv Matched, High-speed, Low-side MOSFET Driver 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300


Microchip Technology 게이트 드라이버 6.0A Single Non-inverting MOSFET Driver, 2x3 TDFN8 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology 게이트 드라이버 1.5A Dual MOSFET Dr Non-Inver Vtemp DFN8 비재고 리드 타임 38 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Microchip Technology 게이트 드라이버 1.5A Dual MOSFET Drvr 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Texas Instruments 게이트 드라이버 SMART 140 MOHM E-GAN FET WITH DRIVER 19-VQFN 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 600V 30mohm GaN FET with integrated driv 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 600V 50mohm GaN FET with integrated driv 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Texas Instruments 게이트 드라이버 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
Texas Instruments 게이트 드라이버 650V 25m? TOLL-packa ged GaN FET with in 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000