STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
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라이프사이클:
신제품:
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데이터시트:
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STMicroelectronics
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
브랜드: STMicroelectronics
개발 키트: EVLSTDRIVEG611
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 1.02 nA
출력 전압: 220 V
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 60 ns
Rds On - 드레인 소스 저항: 7 Ohms
차단: Shutdown
팩토리 팩 수량: 490
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: GaN
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데이터시트

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규정 준수 코드
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
태국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics  STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버는 N 채널 증가 모드 질화칼륨용으로 설계되었으며 하이사이드 드라이버 섹션은 최대 220V의 전압 레일을 견딜 수 있습니다. 이 드라이버는 고전류 용량, 우수한 지연 매칭을 통한 짧은 전파 지연, 통합된 LDO입니다. 따라서 고속 질화칼륨을 구동하는 데 최적화되어 있습니다. STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버는 하드 스위칭 애플리케이션에 맞춘 공급 UVLO, 교차 전도 조건을 방지하기 위한 인터로킹, SmartSD가 포함된 과전류 비교기를 갖추고 있습니다. 이 드라이버는 입력 핀의 범위를 확장하여 컨트롤러와 쉽게 인터페이스할 수 있습니다. 대기 핀을 사용하면 비활성 기간이나 버스트 모드에서 전력 소비를 줄일 수 있습니다. 태양광 마이크로 인버터, D등급 오디오 증폭기, 전기 자전거, LED 조명, USB-C, 전동 공구, 로봇 공학 등 다양한 분야에 적용 가능합니다.

STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics   STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버는 GaN(질화 갈륨 ) eHEMT(강화 모드 고전 자 이동도 트랜지스터) 또는 N 채널 전력 MOSFET용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버 입니다. STDRIVEG600의 하이 측은 최대 600V의 전압에 견디도록 설계되었으며 버스 전압이 최대 500V인 설계 장치에 적합합니다. 이 장치는 높은 전류 성능, 짧은 전파 지연 및 5V 미만의 공급 전압으로 작동하므로 고속 GaN 및 실리콘 FET를 구동하는 데 이상적입니다. 

주요 제품
STMICROELECTRONICS

L98GD8E 8채널 MOSFET 프리 드라이버
이 장치는 로우 사이드, 하이 사이드, 피크 및 홀드, 하프 브릿지 부하 제어용으로 구성할 수 있습니다.
L98GD8E 8채널 MOSFET 프리 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STDRIVEG212 220 V 하프 브리지 게이트 드라이버
향상된 모드인 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화된 하프 브리지 게이트 드라이버입니다.
STDRIVEG212 220 V 하프 브리지 게이트 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STDRIVEG612 600 V 하프 브리지 게이트 드라이버
향상된 모드인 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화된 하프 브리지 게이트 드라이버입니다.
STDRIVEG612 600 V 하프 브리지 게이트 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STSID140-12 SMD 절연 사이리스터 드라이버
산업용 앱과 소비자 앱에서 전력 사이리스터를 위한 강력하고 효율적인 트리거를 제공하도록 설계되었습니다.
STSID140-12 SMD 절연 사이리스터 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버
N-채널 증가 모드의 경우 질화칼륨 및 하이사이드 드라이버 섹션은 최대 220V까지 전압 레일을 견딜 수 있습니다.
STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버 에 대해 자세히 알아보기

재고 상태: 664

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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩4,695.6 ₩4,696
₩3,494.4 ₩34,944
₩3,198 ₩79,950
₩2,870.4 ₩287,040
₩2,714.4 ₩678,600
₩2,652 ₩1,299,480
₩2,511.6 ₩2,461,368
₩2,433.6 ₩7,154,784
₩2,386.8 ₩12,864,852

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