IXYS Q3-클래스 HiperFET™ 전력 MOSFET

IXYS Q3-Class HiPerFET™ 전력 MOSFET은 최종 사용자에게 탁월한 전원 스위칭 성능을 갖춘 광범위 한 장치를 제공합니다. 또한 탁월한 열 특성, 향상된 장치 견고성 및 높은 에너지 효율을 제공합니다. 이 MOSFET은 200~1000V의 드레인-소스 정격 전압과 10~100A의 정격 드레인 전류를 제공합니다. 이러한 특징 덕분에 Q3-Class는 낮은 온 상태 저항(R_dson)과 게이트 전하(Q_g)의 최적화된 조합으로 장치의 전도 및 스위칭 손실을 상당히 줄여 줍니다. HiperFET 프로세스를 활용하여 전원 스위칭 기능과 장치 견고성이 더욱 향상되었습니다. 이 프로세스는 고속 진성 정류기를 갖춘 장치를 생성하여 낮은 역회복 전하(Q_rr)를 제공하는 동시에 장치의 정류 dv/dt 정격(최대 50V/ns)을 향상시킵니다.