Infineon Technologies 600V & 1200V TRENCHSTOP IGBT

Infineon 600V & 1200V TRENCHSTOP™ IGBT는 트렌치 상단 셀과 필드 정지 개념을 결합하여 정적 및 동적 성능을 상당히 개선합니다. 연성 복원 이미터 제어식 다이오드와 IGBT의 조합은 전력 손실을 추가로 감소시킵니다. 전환 및 전도 손실이 경감되어 높은 효율을 달성할 수 있습니다.

The Infineon Technologies 600V and 1200V Trenchstop™ Performance Series IGBTs are offered in TO-220-3, TO-247-3, TO-252-3, and TO-263-3 packages and are Pb-free and RoHS compliant.

특징

  • Better performance: Lower switching losses, lower diode recovery losses
  • Low-speed dV/dt switching (<5V/ns), easy design
  • 5µs SC rating
  • Very low VCEsat
  • Low EMI
  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Cost competitive
  • +175°C maximum junction temperature
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant

애플리케이션

  • Uninterruptible power supplies
  • Drives
  • Solar inverters
  • Converters with medium switching frequency
게시일: 2016-05-23 | 갱신일: 2022-03-11