Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V 전력 MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V 전력 MOSFET은 SuperSO8 및 PQFN 3.3 x 3.3 패키지로 제공되며 손실이 전하(스위칭) 및 온 상태 저항(전도)과 관련된 전기통신 및 태양광과 같은 높은 스위칭 주파수 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있습니다. 또한 동급 최고 수준의 RDS(on) 및 보다 넓은 SOA(안전 작동 영역) 덕분에 이 장치는 BPA(배터리 전원 공급식 애플리케이션) 및 BMS(배터리 관리 시스템)에도 이상적입니다.
OptiMOS™ 5 기술에 비해, Infineon의 선도적인 씬 웨이퍼 기술을 통해 성능을 상당히 개선할 수 있습니다. 아래 기능을 참조하십시오.
특징
- 이전 세대/OptiMOS™ 5 기술에 비해:
- 18% 더 낮은 RDS(on) 및 더 넓은 SOA
- 효율 향상을 위해 FOM 대폭 개선:
- FOM Qg x RDS(on) = -29%
- FOM Qgd x RDS(on) = -42%
- 더 낮고 부드러운 역회복 전하량(Qrr)
- 높은 스위칭 주파수 애플리케이션에 맞게 최적화됨(예: 태양광, 전기 통신)
- 더욱 간편한 열 설계와 더욱 적은 병렬화 덕분에 시스템 비용 절감
- J-STD-020에 따라 분류된 MSL 1
- 높은 스위칭 주파수 애플리케이션(예: 태양광, 전기 통신)을 위한 유익한 가격/성능 비율
- 낮은 전도 손실
- 낮은 스위칭 손실
- 빠른 켜기 및 끄기
- RoHS 규격 준수, 무연
애플리케이션
- SMPS(전기 통신, 서버, 충전기/어댑터, TV 전원 공급 장치 등)
- 태양광
- BMS(배터리 관리 시스템)
- 배터리 전원 공급식 애플리케이션(전동 공구, 드론/멀티콥터, 로봇)
- 모터 제어
비디오
인포그래픽
게시일: 2021-11-30
| 갱신일: 2022-03-11