Infineon Technologies 하프 브리지 게이트 드라이버 IC

Infineon Technologies 하프 브리지 게이트 드라이버 IC는 레벨 시프터 SOI(Silicon on Insulator) 기술에 기반합니다. 이 기술을 통해 저저항 초고속 부트스트랩 다이오드를 통합하고 더 높은 효율과 더 작은 폼 팩터의 애플리케이션을 지원합니다.

2EDL 제품군 IC는 최대 차단 전압이 600V인 고전압 하프 브리지 게이트 드라이브 IC입니다. 일반적으로 소비자 및 산업용 드라이브, 팬, 펌프, 인덕션 쿠킹 장비 또는 스위치 모드 전원 공급 장치에 사용됩니다. 예를 들어, 인덕션 장비(IM)나 브러시리스 DC 모터를 기반으로 하는 드라이브 애플리케이션에 컨버터를 사용할 수 있습니다. 2EDL 제품군은 음 전압 스파이크 및 잡음에 대해 우수한 내구성을 제공하는 SOI 기술로 설계되었습니다.

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게시일: 2019-01-23 | 갱신일: 2024-04-01