Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT 모듈
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT 모듈은 최대 650V 향상된 차단 전압 성능을 갖추고 있으며 CoolSiC™ SCHOTTKY 다이오드(gen5)를 사용합니다. 이 장치는 TRENCHSTOP™ IGBT5 및 PressFIT 접촉 기술을 기반으로 합니다. F3L200R07W2S5FP IGBT 모듈은 스위칭 손실이 대폭 감소하고 열 저항이 낮은 Al2O3 기판을 제공합니다. 이 모듈은 통합 장착 클램프와 사전 적용된 열 인터페이스 재료 덕분에 견고한 장착으로 구성된 콤팩트한 설계 장치와 함께 제공됩니다. F3L200R07W2S5FP IGBT 모듈은 모터 드라이브, 태양광 애플리케이션, 3-level 애플리케이션 및 UPS 시스템에 이상적입니다.
특징
- CoolSiC SCHOTTKY 다이오드(5세대)
- 최대 650 V까지 차단 전압 성능 향상
- 낮은 스위칭 손실
- 소형 설계
- 열 저항이 낮은 Al2O3 기판
- PressFIT 접점 기술
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능
- 사전 적용된 열 인터페이스 재료
애플리케이션
- 모터 드라이브
- 태양광
- 3-level 애플리케이션
- UPS 시스템
회로도
관련 제품
Infineon Technologies EasyPACK™ 1B IGBT 전원 모듈
유연한 핀 그리드 시스템을 갖춘 확장 가능한 전원 모듈 솔루션으로 레이아웃/핀 배치 맞춤화에 적합합니다.
Infineon Technologies EasyPACK™ 2B IGBT 전력 모듈
레이아웃/핀아웃을 사용자 정의하기에 완벽한 유연한 핀 그리드 시스템을 갖춘 확장 가능 전력 모듈 솔루션입니다.
선택 가이드
View Results ( 3 ) Page
| 부품 번호 | 데이터시트 | 설명 | 제품 유형 | 표준 팩 수량 |
|---|---|---|---|---|
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 |  |
IGBT 모듈 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 15 |
| F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 | IGBT 모듈 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 | |
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | IGBT 모듈 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 |
게시일: 2020-05-11
| 갱신일: 2024-10-24