Infineon Technologies Eval-1ED3321MC12N 평가 보드
Infineon Technologies Eval-1ED3321MC12N 평가 보드는 단락 보호 및 활성 게이트 드라이버 IC와 함께 하프 브리지 구성을 갖추고 있습니다. 이 보드는 IGBT, SiC 및 Si MOSFET과 같은 전원 스위치에 적합합니다. 전원 스위치 TRENCHSTOP™ IGBT IKW40N120H3 은 사전 조립되어 있습니다. 이 보드는 이중 펄스 테스트에 이상적입니다. 1ED3321MC12N은 EiceDRIVER™ 1ED332x 제품군(F3 강화 제품군)에 속합니다. 1ED3321은 단락 보호, 액티브 밀러 클램프 및 소프트 오프 기능을 제공합니다. 이 드라이버 IC는 별도의 소스/싱크 출력을 구현하고 유니폴라 또는 바이폴라 중 하나의 넓은 공급 전압 범위에서 작동하며 부품간 전파 지연 정합이 엄격합니다.
특징
- EiceDRIVER™ 강화 단일 채널 절연 게이트 드라이버 1ED332x 제품군(F3 강화 제품군)
- 최대 2,300V IGBT, SiC 및 Si MOSFET용
- 갈바닉 절연 무선 변압기 게이트 드라이버
- +6A/-8.5A(표준) 싱킹 및 소싱 피크 출력 전류
- 오류 출력이 있는 정밀 VCEsat 감지(DESAT)
- 불포화 감지 후 소프트 턴오프
- 40V 절대 최대 출력 공급 전압
- 85ns 전파 지연(35ns 입력 필터 포함)
- 높은 CMTI(공통 모드 과도응답 내성) = 300kV/μs 이상
- 개별 소스 및 싱크 출력
- 단락 클램핑 및 액티브 차단
- 액티브 밀러 클램프
- 연면 거리가 넓은 DSO-16 300mil 와이드 바디 패키지
- 히스테리시스를 이용한 11V/12V UVLO(부족전압 록아웃) 보호
애플리케이션
- 에너지 저장 시스템
- 고속 EV 충전
- 산업용 모터 드라이브 및 제어 장치
비디오
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게시일: 2022-02-15
| 갱신일: 2023-03-08