Infineon Technologies CoolMOS™ 7 초접합 MOSFET

Infineon은 MOSFET, 켈빌 소스 MOSFET 및 GaN HEMT 등 다양한 스위칭 유형에 맞게 최적화된 게이트 드라이버 IC - EiceDRIVER™에 대한 포괄적인 포트폴리오를 제공합니다.

Infineon의 CoolMOS C7 MOSFET은 기록적인 수준의 효율을 제공하도록 설계되었으며 이전 CoolMOS 시리즈 및 경쟁사 제품에 비해 하드 스위칭 애플리케이션의 전체 부하 범위에 걸쳐 효율 이점이 뛰어납니다. C7 MOSFET은 기술적으로 진화 단계에 있으며, 낮은 패키지당 R_DS(on)를 제공하고 낮은 스위칭 손실 덕분에 전 하중 범위에서 효율을 개선할 수 있습니다. C7 MOSFET은 태양광, 서버, 전기통신 및 UPS 같은 애플리케이션에서 역률 보정(CCM PFC), TTF(Two Transistor Forward) 및 태양광 부스트에 맞게 최적화되어 있습니다.

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Infineon CoolMOS C7 골드(G7) MOSFET는 켈빈 소스 개념을 사용하는 새로운 TOLL(SMD TO-Leadless) 패키지로 제공됩니다. G7 MOSFET는 개선된 600V 및 650V CoolMOS G7 기술, 4핀 켈빈 소스 기능 및 TO 리드 없는 패키지의 개선된 열 특성을 결합합니다. 이 덕분에 고전류 하드 스위칭 토폴로지를 지원하는 SMD 솔루션으로서, 예를 들면 최대 3kW의 역률 보정기에 사용될 수 있습니다. 600V CoolMOS G7의 경우, MOSFET은 최첨단 LLC 같은 공진 회로에 사용할 수 있습니다.

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Infineon의 CoolMOS CFD7 MOSFET은 고속 본체 다이오드가 통합된 고전압 초접합 MOSFET 기술을 제공합니다. CFD7 MOSFET은 서버, 전기통신 및 전기차 충전소 등 고전력 SMPS 애플리케이션의 공진 토폴로지에 이상적인 선택입니다. CFD7은 게이트 전하(Qg)가 감소되고 턴오프 동작이 개선된 상태로 제공되며 역회복 전하(Qrr)가 다른 MOSFET에 비해 최대 69% 낮습니다. 이 CFD7는 또한 시장에서 가장 낮은 역방향 회복 시간(TRR)을 제공하는 제품 중 하나입니다. 이러한 특징 덕분에 CoolMOS CFD7은 소프트 스위칭 토폴로지에서 동급 최강의 안정성을 갖춰 매우 효율적입니다. LLC 및 ZVS 위상 전환 풀 브리지에 사용됩니다. 또한 CoolMOS™ CFD7은 R_DS(on)이 최적화되어 전력 밀도를 더 높일 수 있습니다.

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Infineon의 CoolMOS P7 MOSFET은 동급 최고 수준의 가격/성능비를 제공하고 사용이 매우 간편해 다양한 애플리케이션에서 어려운 문제를 해결합니다. 700V 및 800V CoolMOS P7 전력 MOSFET은 어댑터 및 충전기, 조명, 오디오 SMPS, AUX, 산업용 전원 장치를 비롯한 플라이백 기반 저전력 SMPS 애플리케이션용으로 개발되었습니다. 600V CoolMOS P7 전력 MOSFET은 저전력뿐 아니라 태양광 인버터, 서버, 원격 통신 및 전기차 충전소 등 고전력 SMPS 애플리케이션을 대상으로 합니다. 강성 및 연성 스위칭 토폴로지에 맞게 전체적으로 최적화되었습니다. 

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Infineon Power and Sensing Selection Guide