Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT HEMT
Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT(게이트 주입 기술) HEMT(고전자 이동도 트랜지스터)는 최소 스위칭 손실로 빠른 켜기 및 끄기 속도를 제공합니다. 이 GaN 향상 모드 전력 트랜지스터는 ThinPAK 5x6 표면 실장 패키지로 제공되며 히트싱크가 없는 소형 장치가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다. 5mm × 6mm의 작은 풋프린트와 1mm의 낮은 프로파일 높이로, 인피니언 테크놀로지스 CoolGaN™ 600V GIT HEMT는 높은 전력 밀도 구현에 최적입니다.
특징
- 강화 모드 트랜지스터, 노멀리-오프 스위치
- 소형 폼 팩터 무연 SMD 패키지의 GaN HEMT
- GaN-맞춤 인증
- 초고속 스위칭
- 역방향 회복 충전 없음
- 역전도 가능
- 낮은 게이트 전하, 낮은 출력 전하
- 우수한 정류 견고성
- 시스템 효율 개선
- 전력 밀도 개선
- 더 높은 작동 주파수 지원
- 시스템 비용 절감
- EMI 감소
- JEDEC 표준(JESD47 및 JESD22)에 따른 산업용 애플리케이션 인증
- 무연, 무할로겐 및 RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 하프 브리지 토폴로지(Totem pole PFC, 고주파 LLC와 같은 하드 및 소프트 스위칭을 위한 하프 브리지 토폴로지)를 기반으로 산업, 통신 및 데이터 센터용 SMPS
- 저전력 SMPS
- 충전기 및 어댑터
사양
- 600V 최대 연속 드레인-소스 전압
- 800V 최소 드레인-소스 항복 전압
- 펄스 드레인-소스 전압
- 750V 최대(+25°C)
- 650V 최대(+125°C)
- 750V 최대 펄스 스위칭 서지 전압
- 8.2~12.8A(최대) 드레인-소스 연속 전류 범위
- 12.2~23A(최대) 드레인-소스 펄스 전류 범위
- 5.9~11A(최대) 드레인-소스 펄스 전류 범위
- 4~7.7mA(최대) 연속 게이트 전류 범위
- 406~770mA(최대) 펄스 게이트 전류 범위
- -10V 최소 연속 게이트-소스 전압
- -25V 최소 펄스 게이트-소스 전압
- 41.6~55.5W(최대) 전력 손실 범위
- 200V/ns 최대 드레인-소스 전압 슬루율
- -40~+150°C 작동 온도 범위
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게시일: 2023-02-13
| 갱신일: 2023-09-08