Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V 하이 사이드 게이트 드라이버
Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V 하이 사이드 게이트 드라이버는 고전압 전력 트랜지스터를 강력하고 효율적으로 제어할 수 있도록 설계되었습니다. 이러한 Infineon 게이트 드라이버는 모터 드라이브, 태양광 인버터, 산업용 전원 공급 장치 등 광범위한 애플리케이션을 지원하는 하이 사이드 드라이버 아키텍처를 특징으로 합니다. 최대 전압이 650V인 1ED21x7x 직렬은 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 주요 기능으로는 통합 부트스트랩 다이오드, 빠른 스위칭 기능, 저전압 차단(UVLO) 및 과전류 보호와 같은 포괄적인 보호 메커니즘이 있습니다. 이러한 특성으로 인해 EiceDRIVER™ 1ED21x7x 시리즈는 고전압 전력 시스템의 성능과 신뢰성을 향상시키는 데 이상적인 선택입니다.
특징
- Infineon 박막 SOI 기술
- +650V의 최대 블로킹 전압
- ±4A의 출력 소스/싱크 전류
- 최대 공급 전압 25 V
- 통합형 초고속, 저 RDS(ON) 부트스트랩 다이오드
- 100V의 음성 VS 일시적 면역
- 과전류 및 저전압 공급 감지
- 프로그래밍 가능한 오류 제거 시간을 갖춘 다기능 RCIN/결함/활성화(RFE)
- 100ns의 전파 지연 미만
- PG-DSO-8 패키지
- JEDEC47/20/22의 관련 테스트에 따라 산업용 애플리케이션에 대해 인증을 받음
- RoHS 준수
애플리케이션
- 모터 드라이브, 범용 인버터
- 지게차
- 경형 전기자동차
사양
- 672V의 최대 하이 사이드 플로팅 웰 공급 전압
- 0V~650V의 하이 사이드 플로팅 웰 공급 오프셋 전압 범위
- 22V의 최대 하이 사이드 플로팅 웰 공급 전압
- 22V의 최대 로우 사이드 공급 전압
- 0V~5V의 로직 I/O 전압(HIN/RFE) 범위
- 5µA의 최대 하이 사이드 플로팅 웰 상쇄 공급 누설
- 350µA의 최대 VBS 대기 공급 전류, 270µA 일반
- 400µA의 최대 VCC 정동작 공급 전류, 270µA 일반
- 0.46V의 일반적인 높은 수준의 출력 전압 강하
- 0.26V의 일반적인 저레벨 출력 전압 강하
- 4A의 일반적인 피크 출력 전류 켜기/끄기
- 1µA~50µA의 최대 입력 바이어스 전류
- 부트스트랩 다이오드
- 0.6V~1.1V의 VCC~VB 사이의 순방향 전압 범위
- 71mA의 VCC와 VB 사이의 일반적인 순방향 전류
- 50Ω의 최대 저항, 35Ω 일반
- -40°C~+125V의 주변 온도 범위
일반 응용 분야
기능 블록 선도
개발 도구
Infineon Technologies EVAL1EDSICPFC5KWTOBO1 평가 보드
역률 보정(PFC) 애플리케이션을 위해 설계된 고효율 솔루션입니다.
게시일: 2025-04-14
| 갱신일: 2025-04-21